NJT4030P
首选设备
双极功率晶体管
PNP硅
特点
集热器
：辐射源
维持电压
V
CEO （ SUS ）
= 40 VDC （最小值） @我
C
= 10 MADC
高直流电流增益
= 200 （最小值） @我
C
= 1.0 ADC
h
FE
= 100 （最小值） @我
C
= 3.0 ADC
低集电极
：辐射源
饱和电压
V
CE （ SAT ）
= 0.200伏（最大） @我
C
= 1.0 ADC
= 0.500伏（最大） @我
C
= 3.0 ADC
SOT- 223表面贴装包装
环氧符合UL 94 V- 0 @ 0.125
ESD额定值：人体模型， 3B ; > 8000 V
机器型号，C ; > 400 V
这些无铅器件
http://onsemi.com
PNP晶体管
3.0安培
40伏， 2.0瓦
C 2,4
B1
E3
概要
记号
图
SOT223
CASE 318E
风格1
1
A
Y
W
4030P
G
AYW
4030PG
=大会地点
YEAR
=工作周
=具体设备守则
= Pb-Free包装
引脚分配
4
C
B
1
C
2
E
3
顶视图引脚
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第2页。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
2007年1月，
第0版
1
出版订单号：
NJT4030P/D
