LNK302/304-306
引脚功能描述
漏极（D ）引脚：
功率MOSFET的漏极连接。提供内部操作
目前为启动和稳态运行。
旁路（BP ）引脚：
对于0.1的连接点
F
外部旁路电容的
内部产生的5.8 V电源。
反馈（FB ）引脚：
在正常操作下，功率MOSFET的开关是
由此引脚控制。 MOSFET的开关被终止时，
电流大于49
A
被输送到该引脚。
源极（S ）引脚：
这个引脚是功率MOSFET的源极连接。它也是
旁路和反馈引脚接地参考。
该
使用LinkSwitch -TN
振荡器电路可
引入了少量的频率抖动，通常为4千赫
峰 - 峰值，以减少EMI辐射。调制率
频率的抖动设置为1千赫兹，以优化EMI抑制
平均及准峰值。频率
抖动应该在触发示波器进行测量
漏极电压波形的下降沿。在波形
图4示出的频率抖动
LinkSwitch-TN器件。
反馈输入电路
在FB引脚的反馈输入电路由一个低
阻抗源极跟随器的输出设置为1.65 V.当电流
输送到该引脚超过49
A,
一个低逻辑电平（禁止）
在反馈电路的输出被产生。此输出
被采样在每个周期的开始上的上升沿
时钟信号。如果高，功率MOSFET导通的
该周期（启用） ，否则功率MOSFET仍处于关闭状态
（禁用） 。由于采样之初只是做
每个循环中，在FB端子的电压或电流以后的变化
在周期的剩余时间内被忽略。
5.8 V稳压器及6.3 V分流电压钳位
5.8 V稳压器的旁路电容充电连接
旁路引脚为5.8 V通过绘制电流电压
在大江东去，只要MOSFET关断。旁路
引脚的内部电源电压节点
LinkSwitch-TN器件。
当MOSFET导通时，
使用LinkSwitch -TN
逃跑的
能量储存在旁路电容。极低的功耗
内部电路的消耗使
使用LinkSwitch -TN
从目前的漏极得出连续运行
引脚。 0.1的旁路电容
F
是苏夫网络cient为
高频去耦及能量存储。
P封装（ DIP -8B ）
G封装（ SMD- 8B ）
S
S
BP
FB
1
2
3
4
8
7
S
S
5
D
PI-3491-111903
图3.引脚CON组fi guration 。
使用LinkSwitch -TN
实用
描述
使用LinkSwitch -TN
结合了一个高压功率MOSFET开关
在一个器件上的电源控制器。不同于传统的
PWM （脉宽调制）控制器，
使用LinkSwitch -TN
用途
一个简单的ON / OFF控制来调节输出电压。该
使用LinkSwitch -TN
控制器包括一个振荡器，反馈
（感测及逻辑）电路， 5.8 V稳压器，旁路引脚欠压
电压电路，过热保护，频率抖动，
限流电路，前沿消隐和一个700 V功率
MOSFET。该
使用LinkSwitch -TN
采用额外电路
对于自动重启。
振荡器
典型的振荡器频率内部设置为平均
66千赫。从振荡器产生两个信号：
最大占空比信号（ DC
最大
）和时钟信号，即
表示每个循环的开始。
此外，还有一个6.3 V的分流稳压器夹紧
旁路引脚在6.3 V时的电流提供给旁路
引脚通过一个外部电阻器。这有利于供电
使用LinkSwitch -TN
外部的偏置绕组减少
空载功耗为50 mW以下。
旁路引脚欠压
旁路引脚欠压电路将禁用电源
当MOSFET旁路引脚电压低于4.85 V.
一旦旁路引脚电压低于4.85 V，它必须涨
回5.8 V至使能（开启）功率MOSFET 。
过温保护
热关断电路检测结的温度。
将阈值设定在142
°C
典型的有75
°C
滞后。
当芯片温度超过这个阈值（ 142
°C)
该
功率MOSFET将被禁用，仍然禁止，直到模具
温度下降75
°C,
此时它被重新启用。
电流限制
电流限制电路检测功率MOSFET的电流。
当电流超过内部阈值（I
极限
），则
G
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