数据表
MOS场效应
NP84N04EHE ， NP84N04KHE
NP84N04CHE ， NP84N04DHE ， NP84N04MHE ， NP84N04NHE
开关
N沟道功率MOS FET
描述
这些产品是N沟道MOS场效应设计用于高电流开关应用晶体管。
<R>
订购信息
产品型号
NP84N04EHE-E1-AY
NP84N04EHE-E2-AY
NP84N04KHE-E1-AY
NP84N04KHE-E2-AY
注1 ， 2
注1 ， 2
Note1
Note1
注1 ， 2
注1 ， 2
Note1
Note1
铅电镀
填料
包
TO- 263 （ MP - 25ZJ ） （典型值） 。 1.4克
纯Sn （锡）
带800的P /卷
TO- 263 （ MP - 25ZK ） （典型值） 。 1.5克
NP84N04CHE-S12-AZ
NP84N04DHE-S12-AY
NP84N04MHE-S18-AY
NP84N04NHE-S18-AY
锡 - 银 - 铜
管50的P /管
TO- 220 （ MP - 25 ） （典型值） 。 1.9克
TO- 262 （ MP -25鳍片切割） （典型值） 。 1.8克
TO- 220 （ MP - 25K ） （典型值） 。 1.9克
TO- 262 （ MP - 25SK ） （典型值） 。 1.8克
纯Sn （锡）
注意事项1 。
无铅（此产品不包含铅，在外部电极）。
2.
不适用于新设计
(TO-220)
特点
通道温度175度额定
超低导通电阻
R
DS （ ON）
= 5.2 mΩ以下。 （V
GS
= 10 V，I
D
= 42 A)
低输入电容
C
国际空间站
= 4410 pF的典型。
内置栅极保护二极管
(TO-262)
(TO-263)
本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。使用本文档，请前
证实，这是最新版本。
并非所有的产品和/或型号都向每个国家供应。请与NEC电子签
销售代表查询产品供应及其他信息。
一号文件D14240EJ7V0DS00 （第7版）
发布日期2007年10月NS
日本印刷
1999, 2000, 2007
标记<R>表示主要修改点。
"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。
