数据表
MOS场效应
NP82P04PLF
开关
P沟道功率MOSFET
描述
该NP82P04PLF是P沟道MOS场效应晶体管设计用于高电流开关应用。
<R>
订购信息
产品型号
NP82P04PLF-E1-AY
NP82P04PLF-E2-AY
记
记
铅电镀
纯Sn （锡）
填料
带800的P /卷
包
TO- 263 （ MP- 25ZP ）
记
无铅（此产品不含Pb在外部电极）。
特点
超低导通电阻
R
DS(on)1
= 8 mΩ以下。 （V
GS
=
10
V，I
D
=
41
A)
R
DS(on)2
= 12 mΩ以下。 （V
GS
=
4.5
V，I
D
=
41
A)
低输入电容
C
国际空间站
= 5000 pF的典型。
内置栅极保护二极管
(TO-263)
绝对最大额定值（T
A
= 25°C)
漏源极电压（V
GS
= 0 V)
门源电压（V
DS
= 0 V)
漏电流（ DC ） （T
C
= 25°C)
漏电流（脉冲）
Note1
V
DSS
V
GSS
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
P
T1
P
T2
T
ch
T
英镑
40
m20
m82
m246
150
1.8
175
55
to
+175
46
212
V
V
A
A
W
W
°C
°C
A
mJ
总功率耗散（T
C
= 25°C)
总功率耗散（T
A
= 25°C)
通道温度
储存温度
重复性雪崩电流
重复性雪崩能量
Note2
Note2
I
AR
E
AR
注意事项1 。
PW
≤
10
μ
S，占空比
≤
1%
2.
T
ch
≤
150℃ ，V
DD
=
20
V ，R
G
= 25
Ω,
V
GS
=
20 →
0 V
热阻
通道到外壳热阻
通道到环境的热阻
R
TH（ CH-C ）
R
第（章-a）的
1.0
83.3
° C / W
° C / W
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一号文件D18718EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期2007年5月NS CP （ K）
日本印刷
2007
标记<R>表示主要修改点。
"场：修订部分可以通过在PDF文件中复制一个"<R>"和"Find指定它是什么很容易搜索到。
