NP82N06PLG
典型特征（T
A
= 25°C)
正向偏置的降额因子
安全工作区
总功耗对比
外壳温度
160
胸苷 - 百分比额定功率 - ％
P
T
- 总功耗 - W
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
175
T
C
- 外壳温度 -
°C
140
120
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125 150
175
T
C
- 外壳温度 -
°C
正向偏置安全工作区
1000
d
IT ê
IM ）
)
L
V
on
S(
i
0
R
S
= 1
G
(V
I
D（ DC）的
I
D（脉冲）
PW
=1
i
0
I
D
- 漏电流 - 一个
100
0
μ
s
DC
w
Po
1
i
m
i
s
10
1
i
0
m
D
er
ip
我是SS
io
at
i
s
1
T
C
= 25°C
单脉冲
d
IT ê
im
nL
0.1
0.1
1
10
100
V
DS
- 漏极至源极电压 - V
瞬态热阻与脉冲宽度
100
r
日（T ）
- 瞬态热阻 -
° C / W
R
第（章-a）的
= 83.3 ° C /无线网络
10
1
R
TH（ CH-C ）
= 1.05 ° C /无线网络
0.1
单脉冲
0.01
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
100
1000
PW - 脉冲宽度 - S
数据表D18777EJ1V0DS
3
