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LM2704
手术
(续)
该LM2704设有一个恒定关断时间控制方案。
操作可通过参照将最好地理解
图2
和
网络连接gure 3 。
晶体管Q1和Q2和电阻器R3和
的R4
图2
形成用于控制一个带隙基准
输出电压。当FB引脚电压低于
1.237V时,在使能小样
图2
使该设备和
在NMOS开关接通拉动SW引脚接地。
当NMOS开关打开时,电流开始流过
电感器L ,而负载电流由输出供给
电容C
OUT
。一旦在电感中的电流达到
峰值电流限制, CL比较车次和400ns的一
镜头关闭的NMOS开关。 SW引脚的电压,然后将
上升到输出电压加上二极管压降和电感器
电流将开始减小,如图
网络连接gure 3 。
中
此时存储在电感中的能量被转移到
C
OUT
和负载。关断时间的NMOS在400ns的后
开关接通和能量存储在电感器
再次。这从电感器的能量传递到输出
导致所示的输出纹波的步进效果
网络连接gure 3 。
该循环继续,直到达到FB的电压
1.237V 。当FB电压达到该值时,启用compara-
器然后禁用该设备关闭NMOS开关和
减少设备消耗40uA的智商。在负载电流
然后用C只提供
OUT
通过逐步指示
如图减小在输出斜率
网络连接gure 3 。
当
FB引脚降至略低于1.237V ,使能compara-
符使该设备,并开始所描述的循环前
viously 。 SHDN引脚可用来关闭LM2704
和减少I
q
为0.01μA 。在关断模式下输出
电压将是一个二极管的压降比输入电压低。
护理时,应选择一个电感服用。对于应用程序
需要一个输入电压接近阳离子
输出电压,将锂离子电池的情况下,如
电压为5V ,关断时间在400ns可能没有足够的时间来
在电感放电能量和传送的能量
到输出电容器和负载。这可能会导致一个斜坡
在电感器中的电流波形的影响,并增加
纹波的输出电压。使用较小的电感器将
导致我
PK
增加,并会增加输出电压
纹波进一步。这可以通过增加一个4.7pF电容来解决
接R器
F1
反馈电阻(图
2)
略
增加输出电容器。较小的电感可以再
用来确保在400ns的适当履行关闭时间。
二极管的选择
保持高效率,的平均电流额定值
肖特基二极管应比峰值电感大电流
租,我
PK
。肖特基二极管具有低正向压降和快速
开关速度是理想的提高效率por-
表中的应用程序。选择的反向击穿
肖特基二极管相比,输出电压变大。
电容的选择
选择适合的输出,以减少输出低ESR电容
电压纹波。多层陶瓷电容是最好的
的选择。对于大多数应用来说,一个1μF的陶瓷电容器
足够了。对于某些应用中的输出电压的降低
纹波可以通过增加输出来实现电容
器。
局部旁通用于输入所需的LM2704 。
多层陶瓷电容是一个很好的选择,因为
很好。一个4.7μF的电容足以满足大多数应用。为
额外的旁路,一个100nF的陶瓷电容即可
用于分流输入的高频纹波。
布局的注意事项
应用信息
电感的选择
合适的电感器为给定的应用程序的计算
使用以下等式:
其中,V
D
是肖特基二极管的电压,我
CL
是开关
在发现电流限制
典型性能Characteris-
TICS
部,以及T
关闭
是开关关断时间。当使用此
公式一定要使用的最小输入电压,
应用,如用于电池供电的应用。为
该LM2704恒定关断时间控制方案中, NMOS
电源开关是关闭的,当达到电流极限。
有大约从时间200ns的延迟的
被达到,在NMOS功率开关的电流限制和时
内部逻辑实际上断开开关。在这
200ns的延迟,峰值电感电流会增大。这
增加的电感电流要求较大的饱和
额定电流的电感器。这种饱和电流可
近似由下式:
输入旁路电容C
IN
,如图
图1中,
必须
放在靠近IC 。这将减少铜线
电阻它影响IC的输入电压纹波。为
额外的输入电压滤波,一个100nF的旁路电容
可以被放置在平行用C
IN
分流任何高频
昆西噪声接地。输出电容C
OUT
,应
也可以放置在靠近集成电路。任何铜线连接
为Cout的电容可以增加串联电阻
这直接影响输出电压纹波。反馈
网络,电阻器R1和R2 ,应保持靠近FB
引脚,以尽量减少铜线连接,可以注入
噪声进入系统。为馈接地连接
背面的电阻网络应直接连接到模拟
接地平面。模拟地平面应直接绑定到
GND引脚。如果没有模拟接地平面,所述
为反馈网络应配合二接地
接连到GND引脚。跟踪的电感进行的连接
器和肖特基二极管应该被最小化,以降低功率
耗散和提高整体效率。
选择电感,低ESR降低功率损耗
并提高效率。
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