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NT256D64S88A2GM
256MB ： 32M ×64
PC2100 / PC1600 DDR无缓冲SO-DIMM
输入/输出功能描述
符号
CK0 ， CK1 ， CK2
TYPE
（ SSTL ）
极性
积极
EDGE
功能
差分对的系统时钟输入的正线驱动输入到
在-DIMM PLL 。所有的DDR SDRAM的地址和控制输入的上升沿采样
其关联的时钟边沿。
在-DIMM PLL 。
激活SDRAM CK信号时高，停用时， CK信号为低电平。通过
停用时钟， CKE低启动省电模式，或自刷新
模式。
使相关的SDRAM命令解码器时低，禁用命令
解码器时高。当指令译码器被禁用，新的命令将被忽略
但以往的行动仍在继续。
当在时钟的正上升沿采样，
RAS
,
CAS
,
WE
定义
操作以由SDRAM中执行。
参考电压为SSTL- 2投入
对于DDR SDRAM输出缓冲隔离电源，以提供更好的噪声
免疫
-
选择其中SDRAM银行是活跃的。
在一个银行激活指令周期， A0 -A12定义的行地址（ RA0 - RA12 ）
当在时钟上升沿采样。
在读或写命令周期中， A0 -A9定义的列地址（ CA0 - CA9 ）
当在时钟上升沿采样。除了列地址， AP是用来
A0 - A9
A10/AP
A11,A12
（ SSTL ）
-
调用autoprecharge操作在突发读或写周期的结束。如果AP处于高，
autoprecharge选择和BA0 / BA1定义银行进行预充电。如果AP处于低电平，
autoprecharge被禁用。
在一个预充电命令周期， AP的结合使用BA0 / BA1来控制
哪家银行（县）预充电。如果AP是所有高4银行将不管预充电
BA0 / BA1的状态。如果AP处于低电平，则BA0 / BA1被用来定义哪些行进行预充电。
DQ0 - DQ63 ，
DQS0 - DQS7
（ SSTL ）
（ SSTL ）
-
活跃
高
数据和校验位输入/输出引脚相同的方式进行操作的常规
DRAM的。
数据选通信号：输出与读取数据，输入与写入数据。边缘与读取数据对齐，
集中在写入数据。用于捕获写数据。
数据写入掩模，与一个数据字节相关联。在写模式下， DM作为一个
DM0 DM7
输入
活跃
高
要写入的允许输入数据字节掩码，如果它是低，但写入操作如块它
高。在读模式下， DM线没有任何效果。 DM8与校验位相关
CB0 - CB7 ，而不是用在x64模块。
V
DD
, V
SS
SA0 - SA2
SDA
SCL
V
DDSPD
供应
供应
-
-
-
电源和接地的DDR SDRAM输入缓冲器和核心逻辑
地址输入。连接在V
DD
或V
SS
系统板上配置
串行存在检测EEPROM地址。
这种双向引脚用于数据传输移入或移出SPD EEPROM中。电阻
必须从SDA总线到V连接
DD
作为一个上拉电阻。
这个信号被用于时钟数据移入和移出该SPD EEPROM中的。电阻可
从SCL班车时间为V连接
DD
作为一个上拉电阻。
串行EEPROM正电源。
CK0
,
CK1
,
CK2
（ SSTL ）
差分对的系统时钟输入端的负的负线驱动输入到
EDGE
活跃
高
CKE0
（ SSTL ）
S0
（ SSTL ）
活跃
低
活跃
低
RAS
,
CAS
,
WE
V
REF
V
DDQ
BA0 ， BA1
（ SSTL ）
供应
供应
（ SSTL ）
初步
01 / 2002
3
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