NT512D64S8HB1G / NT512D64S8HB1GY / NT512D64S8HB0G

NT256D64S88B1G / NT256D64S88B1GY NT256D64S88B0G

NT128D64SH4B1G / NT512D72S8PB0G （ ECC ） / NT256D72S89B0G （ ECC ）

512MB ， 256MB和128MB

PC3200 ， PC2700和PC2100

无缓冲DDR DIMM

184针无缓冲DDR DIMM

基于DDR400 /二百六十六分之三百三十三256M位B模具设备

特点

184双列直插内存模块（DIMM ）

无缓冲DDR DIMM基于256M比特模B设备，

作为组织或者32Mbx8或16Mbx16

性能：

PC3200 PC2700 PC2100

速度排序

DIMM

CAS

潜伏期

f

CK

t

CK

时钟频率

时钟周期

5T

3

200

5

400

6K

2.5

166

6

333

75B

2.5

133

7.5

266

兆赫

ns

兆赫

单位

DRAM DLL对齐DQ和DQS转换时钟转换

地址和控制信号完全同步，以积极的

时钟边沿

可编程操作：

- DIMM

CAS

延迟：2， 2.5 ， 3

- 突发类型：顺序或交织

- 突发长度： 2 ， 4 ， 8

- 操作：突发读取和写入

自动刷新（ CBR）和自刷新模式

自动和控制预充电命令

7.8

s

马克斯。平均周期刷新间隔

串行存在检测EEPROM

镀金触点

SDRAM芯片被封装在TSOP封装

“绿色”包装 - 无铅

f

DQ

DQ突发频率

预期的133 ， 166和200 MHz的应用

输入和输出SSTL- 2兼容

V

DD

= V

DDQ

= 2.5V ± 0.2V （ 2.6V ± 0.1V的PC3200 ）

SDRAM的有4个内部银行的并发操作

差分时钟输入

数据读取或写入两个时钟边沿

描述

NT512D64S8HB0G ， NT512D64S8HB1G ， NT512D64S8HB1GY ， NT512D72S8PB0G ， NT256D64SH88B0G ， NT256D64SH88B1G ，

NT256D64SH88B1GY ， NT256D72S89B0G和NT128D64SH4B1G是无缓冲的184针双数据速率（ DDR ）同步DRAM

双列直插式内存模块（ DIMM ） 。 NT512D64S8HB1GY和NT256D64SH88B1GY使用无铅工艺包装的。

NT512D64S8HB0G ， NT512D64S8HB1G和NT512D64S8HB1GY使用16 32Mx8组织为双512MB的行列模块

TSOP设备。 NT512D72S8PB0G具有ECC和组织为使用18 32Mx8 TSOP设备双行列。 NT256D64SH88B0G ，

NT256D64SH88B1G和NT256D64SH88B1GY组织为使用八个32Mx8 TSOP设备单列256MB模块。

NT256D72S89B0G具有ECC和组织为采用九32Mx8 TSOP设备单列。 NT128D64SH4B1G是128MB的模块，

组织为使用四个16Mx16 TSOP设备单列。

根据不同的速度等级，这些DIMM旨在用于操作高达200 MHz的时钟速度，实现应用

高达400 MHz的高速数据传输速率。之前的任何访问操作，则设备

CAS

等待时间和脉冲串的类型/长度/操作

类型必须编入DIMM通过模式寄存器设置循环地址输入和I / O输入BA0和BA1 。

在DIMM使用一个串行EEPROM ，并通过使用一个标准的IIC协议的串行存在检测执行器（SPD ）的可

访问。前128个字节的SPD数据与模块编程特性由JEDEC定义。

REV 2.2

2004年8月3日

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NANYA保留更改产品规格，恕不另行通知。

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