NTD65N03R
功率MOSFET
25 V ， 65 A单N沟道， DPAK
特点
低R
DS （ ON）
超低栅极电荷
低反向恢复电荷
无铅包可用
V
（ BR ） DSS
25 V
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
典型值
6.5毫瓦@ 10 V
9.7毫瓦@ 4.5 V
N沟道
D
I
D
最大
65 A
应用
台式机CPU电源
DC-DC转换器
高，低压侧开关
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏极
电流（R
QJC
）有限公司
通过模
连续漏极
电流（R
QJC
）有限公司
线控
功耗
(R
QJC
)
连续漏极
电流（注1 ）
功耗
（注1 ）
连续漏极
电流（注2 ）
功耗
（注2 ）
漏电流脉冲
稳定
状态
稳定
状态
T
C
= 25°C
T
C
= 85°C
T
C
= 25°C
I
D
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
25
"20
65
45
32
A
单位
V
V
A
G
S
4
4
1 2
3
1
1
2
3
CASE 369D
DPAK
（直引线）
方式2
2 3
4
T
C
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
P
D
I
D
P
D
I
D
P
D
I
DM
T
J
, T
英镑
dv / dt的
I
S
E
AS
50
11.4
8.9
1.88
9.5
7.4
1.3
130
-55
175
2.0
2.1
71.7
W
A
W
A
W
A
°C
V / ns的
mJ
CASE 369AA
DPAK
（弯曲铅）
方式2
CASE 369AC
3 IPAK
（直引线）
标记DIAGRAMS
＆放大器;引脚分配
4
漏
YWW
65
N03G
3
来源
1
门
2
漏
3
来源
=年
=工作周
=器件代码
= Pb-Free包装
出版订单号：
NTD65N03R/D
4
漏
YWW
65
N03G
1
门
2
漏
Y
WW
65N03
G
t
p
= 10
ms
工作结存储
温度
漏极 - 源极（ dv / dt的）
源电流（体二极管）
单脉冲Drain - to-Source雪崩
能源（V
DD
= 24 V, V
GS
= 10 V，I
L
= 12 A,
L = 1.0 mH的，R
G
= 25
W)
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
A
T
L
260
°C
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装上使用1平方垫尺寸FR4板
（铜面积=在平[ 1盎司]包括痕迹1.127 ） 。
2.表面安装使用推荐的最小焊盘尺寸FR4板
（铜面积=平方英寸0.15 ） [ 1盎司]包括痕迹。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第5页上。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
1
2006年7月 - 第3版
