NTD14N03R
功率MOSFET
14安培， 25伏
N沟道DPAK
特点
平面HD3e工艺的快速开关性能
低R
DS （ ON）
为最大限度地减少传导损耗
低C
国际空间站
以最小化驱动程序丢失
低栅电荷
优化的高边开关要求
高效率DC -DC转换器
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14安培， 25伏
R
DS （ ON）
= 70.4毫瓦（典型值）
N沟道
D
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有规定编）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压 - 连续
热电阻 - 结到外壳
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25 ℃，芯片
- 连续@ T
A
= 25 ℃，包装有限公司
- 单脉冲（ TP
≤
10
女士）
热电阻 - 结到环境
（注1 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
热电阻 - 结到环境
（注2 ）
总功率耗散@ T
A
= 25°C
漏电流 - 连续@ T
A
= 25°C
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的
目的， 1/8“案件从10秒
符号
V
DSS
V
GS
R
QJC
P
D
I
D
I
D
I
D
R
qJA
P
D
I
D
R
qJA
P
D
I
D
T
J
, T
英镑
T
L
价值
25
±20
6.0
20.8
14
11.4
28
80
1.56
3.1
120
1.04
2.5
-55
150
260
单位
V
dc
V
dc
° C / W
W
A
A
A
° C / W
W
A
° C / W
W
A
°C
°C
1 2
3
CASE 369C
DPAK
（表面贴装）
方式2
S
4
4
G
1
2
3
CASE 369D
DPAK
（直引线）
方式2
标记图
＆放大器;引脚分配
4漏
YWW
T14
N03
4漏
YWW
T14
N03
3
来源
1
门
2
漏
3
来源
包
DPAK
DPAK
直引线
DPAK
航运
75单位/铁
75单位/铁
2500磁带&卷轴
出版订单号：
NTD14N03R/D
1.当表面安装用0.5平方的FR4电路板。在焊盘尺寸。
2.表面安装的FR4板采用最小建议垫
尺寸。
1
门
2
漏
14N03
Y
WW
=器件代码
=年
=工作周
订购信息
设备
NTD14N03R
NTD14N03R1
NTD14N03RT4
半导体元件工业有限责任公司， 2003
1
2003年10月 - 第3版
