NTD14N03R
V
GS
，栅极至源极电压（伏）
200
V
DS
= 0 V V
GS
= 0 V
C，电容（pF ）
160
C
国际空间站
C
RSS
120
T
J
= 25°C
8
6
Q
T
4
Q
1
Q
2
V
GS
C
国际空间站
80
C
OSS
C
RSS
40
0
10
5
V
GS
0 V
DS
5
10
15
2
I
D
= 5 A
T
J
= 25°C
0
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
Q
g
，总栅极电荷（ NC）
20
栅极 - 源极或漏极至源极电压
（伏）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
100
I
S
，源电流（安培）
V
DS
= 10 V
I
D
= 5 A
V
GS
= 10 V
t
r
T， TIME （ NS ）
70
V
GS
= 0 V
60
50
40
30
T
J
= 150°C
20
10
0
1
10
R
G
，栅极电阻（ W）
100
0
0.2
0.4
0.6
T
J
= 25°C
0.8
1.0
10
t
D（关闭）
t
D（上）
t
f
1
V
SD
，源极到漏极电压（伏）
图9.电阻开关时间变化
与栅极电阻
图10.二极管的正向电压与
当前
推荐足迹对于表面安装应用
表面贴装电路板布局是总的关键部分
设计。占地面积为半导体封装必须
是正确的大小，以确保适当的焊接连接
6.20
0.244
电路板和封装之间的接口。与
正确的垫几何，包会自我调整的时候
经受回流焊接工艺。
3.0
0.118
2.58
0.101
5.80
0.228
1.6
0.063
6.172
0.243
尺度3:1
mm
英寸
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