低待机电流，电池管理以延长电池寿命
I
BDRN
，电池漏电流（ A）
V
in
0.48
0.44
0.40
0.36
0.32
0.28
0.24
0.2
2.5
2.7
2.9
3. 1
3.3
3.5
3.7
3.9
4.1
V
SNS
，电池电压（ V）
V
CC
= 0
CFLG
EN
V2P8
NCP1835
微处理器
故障
V
in
4.7 F
C
in
V
CC
VSNS
BAT
GND
ISEL定时器
15 nF的
C
T
0.1 F
C
2p8
4.7 F
C
OUT
GND
80 k
R
ISEL
典型应用电路
电池漏电流与电池电压
电池管理电路
设备
NCP185
NCP185B
NCP1800
MC0/
描述
截至1单节锂离子/聚合物集成CCCV充电器
最多？ 00毫安单节锂离子/聚合物集成CCCV充电器
单节锂离子CCCV充电器
镍化学电池座充充电器
包
DFN-10
DFN-10
Micro8
SOIC-8
主要特点
无需外部MOSFET
无需外部MOSFET
业界领先的待机电流0.5 μA ，可调充电电流限制
峰值电压检测
集成过压保护的电池和充电电路
AC / DC适配器或
附件充电器
V
CC
IN
+
V
REF
欠压
锁定
逻辑
FET
司机
OUT
P- CH
肖特基
二极管
+
C1 LOAD
GND
CNTRL
微处理器端口
典型的OVP器件图
电池保护电路
过压保护
设备
NUS05
NUS05
NUS06
NUS10
NUS055
NUS05
NCP5
NCP6
.6
.8
UVLO （ V）
.8
.8
OVP （五）
6.85
6.85
5.5
.7
6.85
.5
6.85
., 5.5
逻辑
超越控制
是的
是的
是的
No
是的
是的
是的
是的
VDS （ V）
0
0
0
1
0
0
NA
NA
MOSFET
最大导通电阻
（毫瓦） @ 4.5 V
71
66
66
75
66
66
NA
NA
TYPE
DFN
DFN
DFN
TDFN
TLLGA
TLLGA
SOT--5
SOT--5
包
面积（mm）
. x .
. x .
. x .
.0 x .0
.5 x .0
.5 x .0
.0 x .75
.0 x .75
高度
(mm)
0.85
0.85
0.85
0.85
0.55
0.55
1.00
1.00
工作环境
温度（℃）
- ？ 0至85
- ？ 0至85
- ？ 0至85
- ？ 0至85
- ？ 0至85
- ？ 0至85
- ？ 0至85
- ？ 0至85
第8页
便携式解决方案
