NTGD4161P
典型性能曲线
350
300
C，电容（pF ）
250
200
150
100
50
0
0
C
RSS
5
10
15
20
25
30
C
OSS
T
J
= 25°C
V
GS
= 0 V
C
国际空间站
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
10
Q
T
8
V
GS
6
Q
GS
Q
GD
10
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
8
6
4
4
2
V
DS
0
0
1
2
3
4
5
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
I
D
= 2.1 A
T
J
= 25°C
2
0
6
漏极至源极电压（V ）
图7.电容变化
图8.栅极 - 源极和
漏极至源极电压与总充电
100
0.8
I
S
，源电流（ A）
I
D
，漏电流（ A）
0.7
0.6
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
0.3
0.4
0.5
0.6
T
J
= 25°C
T
J
= 40°C
0.7
0.8
0.9
1.0
T
J
= 150°C
V
GS
= 0 V
10
V
GS
= 10 V
单脉冲
T
A
= 25°C
100
ms
1毫秒
1
10毫秒
0.1
R
DS （ ON）
极限
热限制
套餐限制
0.01
0.1
1
10
100
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
dc
T
J
= 125°C
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
图9.二极管的正向电压与
当前
图10.最大额定正向偏置
安全工作区
1.0
R
qJA
有效的瞬态热
响应（标准化）
0.5
0.2
0.1 0.1
0.05
0.02
0.01 0.01
0.001
1E06
单脉冲
1E05
1E04
1E03
1E02
T，时间（S ）
1E01
1E+00
1E+01
1E+02
1E+03
图11. FET热响应
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