NTLJD4150P
功率MOSFET
-30 V， -3.4 A，
mCoolt
双P沟道，
2×2 mm的WDFN封装
特点
WDFN的2x2毫米封装提供的暴露排水垫
优良的热传导
足迹同SC- 88封装
薄型（ < 0.8mm）的，便于适合于薄的环境
双向电流与公共资源配置
这是一个Pb - Free设备
V
（ BR ） DSS
30 V
http://onsemi.com
R
DS （ ON）
最大
135毫瓦@ 10 V
200毫瓦@ 4.5 V
S1
S2
I
D
最大
（注1 ）
3.4 A
应用
锂离子电池的充电和保护电路
LED背光，手电筒
双高侧负载开关
最大额定值
(T
J
= 25 ° C除非另有说明）
参数
漏极至源极电压
栅极 - 源极电压
连续漏电流
（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
功耗
（注1 ）
稳定
状态
t
≤
5s
连续漏电流
（注2 ）
功耗
（注2 ）
漏电流脉冲
T
A
= 25°C
稳定
状态
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
t
p
= 10
ms
P
D
I
DM
T
J
,
T
英镑
I
S
T
L
I
D
T
A
= 25°C
T
A
= 85°C
T
A
= 25°C
P
D
T
A
= 25°C
2.3
1.8
1.4
0.7
14
-55
150
1.8
260
W
A
°C
A
°C
A
符号
V
DSS
V
GS
I
D
价值
30
±20
2.7
2.0
3.4
1.5
W
单位
V
V
A
G1
G2
D1
P沟道MOSFET
D2
D2
P沟道MOSFET
D1
记号
图
1
2
3
JE M
G
6
5
G
4
销1
JE
M
G
WDFN6
CASE 506AN
=具体设备守则
=日期代码
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
引脚连接
D1
S1
G1
D2
1
2
D2
3
4
S2
6
5
D1
G2
工作结温和存储温度
源电流（体二极管） （注2 ）
无铅焊接温度的目的
（ 1/8“从案例10秒）
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.表面安装在FR4板采用1平方焊盘尺寸（铜面积为1.127平方英寸
[ 2盎司]包括痕迹） 。
2.表面安装在FR4电路板用最小建议焊盘尺寸。
（ TOP VIEW ）
订购信息
设备
NTLJD4150PTBG
包
WDFN6
（无铅）
航运
3000 /磁带&
REEL
。有关磁带和卷轴规格，
包括部分方向和磁带大小，请
请参阅我们的磁带和卷轴包装规格
宣传册， BRD8011 / D
半导体元件工业有限责任公司， 2007年
1
2007年1月 - 修订版0
出版订单号：
NTLJD4150P/D
