OPA369
OPA2369
SBOS414A - 2007年8月 - 修订2007年9月
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+2.7V
R
3
R
2
V
CC
+2.7V
R
1
66.5
W
OPA369
V
IN
C
1
1.5nF
REF3312
C
2
1
m
F
VREF
MSP430x20x3PW
A0+
16-Bit
ADC
V
SS
图29.单极性信号链配置
R
G
R
分流
齐纳
(1)
V+
OPA369
MOSFET的额定
对峙电源电压
如BSS84的
高达50V 。
R
1
10kW
(2)
+5V
V+
齐纳二
偏置方法
(3)
示。
产量
负载
R
BIAS
R
L
注： （ 1 ）齐纳额定运放的供电能力（也就是5.1V的OPA369 ） 。
（2）限流电阻。
（ 3 ）选择齐纳二极管偏置电阻或双NMOS场效应管（ FDG6301N ， NTJD4001N ，或Si1034 ）
图30.高边电流监视器
+5V
负载
R
1
4.99kW
R
2
49.9kW
REF3130
3V
V
I
负载
R
分流
1W
R
3
4.99kW
OPA369
R
4
48.7kW
R
6
71.5kW
R
N
56W
R
N
56W
ADS1100
IC
2
流浪接地回路电阻
R
7
1.18kW
（ PGA增益= 4 ）
FS = 3.0V
注： 1 ％的电阻提供足够的共模抑制在小接地回路的错误。
图31.低端电流监控器
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2007 ，德州仪器
