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（E S）我
I
ES
Excel的半导体公司。
DC特性
表7. CMOS兼容
参数
符号
I
LI
I
点亮
I
LR
I
LO
参数说明
输入负载电流
测试条件
V
IN
= VSS到Vcc
VCC = VCC最大
VCC = VCC最大; A9 = 12.5V
VCC = VCC最大; RESET ＃ = 12.5V
VOUT = VSS至Vcc ，
VCC = VCC最大
5MHz
民
典型值
最大
+ 1.0
单位
uA
A9输入负载电流
RESET ＃输入负载电流
输出漏电流
35
35
+ 1.0
7
2
7
2
15
0.2
0.2
0.2
15
4
uA
uA
uA
I
CCI
VCC读操作工作电流
（注1,2 ）
CE＃ = V
IL
OE ＃ = V
IH
， BYTE
模式
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
，字
模式
1MHz
5MHz
1MHz
mA
15
4
30
10
10
10
mA
uA
uA
uA
I
CC2
I
CC3
I
CC4
I
CC5
V
IL
V
IH
V
ID
V
OL
V
OH1
VCC主动写电流（注2,3 ）
VCC待机电流（注2 ）
VCC复位电流（注2 ）
自动休眠模式
(Notes2,4)
输入低电压
输入高电压
电压自动选择和
临时机构撤消
输出低电压
CE＃ = V
IL
， OE ＃ = V
IH
， WE＃ = V
IL
CE ＃ ， RESET ＃ = VCC + 0.3V
RESET ＃ = VSS + 0.3V
V
IH
= VCC + 0.3V
V
IL
= VSS + 0.3V
-0.5
0.7xVcc
VCC = 3.0V + 10 ％
I
OL
= 4.0毫安， VCC = VCC最小值
I
OH
= -2.0mA ， VCC = VCC最小值
0.85 VCC
11.5
0.5
Vcc+0.3
12.5
0.45
V
V
V
V
输出高电压
V
OH2
V
LKO
低VCC锁定了电压（注5 ）
I
OH
= -100 UA， VCC = VCC最小值
VCC - 0.4
2.3
2.5
V
V
注意事项：
1.上市，国际刑事法院电流通常小于2mA / MHz的，与OE ＃在V
IH
,
典型的条件： 25
o
C， VCC = 3V
2.我最大
CC
规格与VCC = VCC最大考验。
3.电流Icc积极而嵌入式擦除或嵌入式程序正在进行中。
4.自动休眠模式可以在地址保持稳定吨的低功耗模式
加
+为30ns 。典型睡眠模式电流是
200 nA的。
5.未经100％测试。
ES29LV800E
27
2006年修订版0A 1月5日，
