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（E S）我
I
ES
Excel的半导体公司。
在解锁，旁路模式下，只有unlock-
绕行方案和解锁旁路复位的COM
要求主要有效。要退出解锁旁路模式，
该系统必须发出两个周期的解锁旁路
复位命令序列。第一周期必须CON组
覃数据90H 。第二周期只需要
包含的数据00H 。然后设备返回
阅读模式。
- 解锁旁路输入命令
- 解锁绕道复位命令
- 解锁绕道程序命令
表9示出了用于地址和数据要求
芯片擦除命令序列。需要注意的是
自动选择，安全部门和CFI模式
不可用的，而在擦除操作过程中
清除状态位： DQ7 ， DQ6 ， DQ2或RY / BY ＃
当嵌入式擦除算法完成，
设备返回到读模式和地址
不再锁定。该系统可确定该
擦除操作通过使用DQ7 ， DQ6状态
DQ2或RY / BY ＃ 。指的是写操作状态
第10表对这些状态位的信息。
在WP ＃ / ACC解锁绕道程序
加快编程模式
该器件提供加速方案业务
通过WP ＃ / ACC引脚。当系统
断言V
HH
在WP ＃ / ACC引脚，该装置自动
自动进入解锁旁路模式。该系
然后TEM可以写两个周期的解锁绕道
程序命令序列。该设备使用
在WP ＃ / ACC引脚电压较高加快
的操作。需要注意的是WP ＃ / ACC脚不能
可以在V
HH
在加速比其他任何操作
编程，或设备损坏可能会导致。在
此外， WP ＃ / ACC脚不能悬空
或悬空;该设备的不一致的行为
可能的结果。图。图8示出该算法的
程序操作。请参阅擦除和编程
操作表中的AC特性部分
为参数，图22的时序图。
命令时擦除操作忽略
在芯片擦除任何命令写操作
化被忽略。但是，请注意，硬件复位
立即终止擦除操作。如果这
发生时，芯片擦除命令序列应该
能够重新启动，一旦设备已经返回到读
阵列的数据。以确保数据的完整性。图。图9示出
该算法的擦除操作。参阅
在AC擦除和编程操作表
为参数，图特性部分。 23
部分时序图。
扇区擦除命令
通过使用扇区擦除命令，单个扇区或
多个部门可以擦掉。扇区擦除
命令是一个六总线周期操作。部门
擦除命令序列被写两个启动
解锁循环，接着一个建立命令。两
附加的解锁周期被写入，并且然后跟着
由该扇区的地址lowed被擦除，并
扇区擦除命令。表9示出了
对于扇区擦除地址和数据要求
命令序列。注意，自动选择， SECU-
RITY部门和CFI模式时不可用
擦除操作正在进行中。
芯片擦除命令
要擦除整个存储器，芯片擦除命令
被使用。此命令是六总线周期的操作。
该芯片擦除命令序列由启动
写入两个解锁周期，接着一个建立的COM
命令。两个额外的解锁写周期，然后
其次是芯片擦除命令，而这又
调用嵌入式擦除算法。该芯片
擦除命令擦除整个存储器includ-
荷兰国际集团的所有其他部门，除了受保护的行业，
但在执行内部擦除操作
单扇区基地。
嵌入式扇区擦除算法
该设备不要求系统前原
克擦除之前。嵌入式擦除算法
自动计划和验证整个MEM-
前电储器为全零数据模式
抹去。该系统不要求提供有关的任何
的控件或计时这些操作。
嵌入式擦除算法
该设备不要求系统前原
克擦除之前。嵌入式擦除algo-
rithm自动preprograms和验证
整个存储器用于前一个全零的数据模式
电擦除。到亲系统不需要
这些操作在韦迪的任何控制或定时
系统蒸发散。
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ES29LV320D
修订版2D 2006年1月5日
