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64Kx16 LP SRAM EM6164K600V系列
概述
该EM6164K600V是组织为1,048,576位低功耗CMOS静态随机存取存储器
65,536字由16位。它是用非常高的性能，高可靠性的CMOS技术制成的。
其待机电流的工作温度范围内稳定。
该EM6164K600V是精心设计的低功耗应用，特别适合好电池
备份非易失性存储器应用。
该EM6164K600V工作于2.7V 3.6V单电源供电，所有输入和输出
完全兼容TTL
特点
快速存取时间：45 /55 / 70ns的
低功耗：
工作电流：
二十分之二十三/ 18毫安（ TYP 。 ）
待机电流： -L / -LL版本
10 / 1μA （典型值）
单2.7V 3.6V电源
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据字节的控制：
LB ＃ （ DQ0 DQ7 ）
瑞银（ DQ8 DQ15 ）
数据保持电压： 1.5V （分钟）
包装：
44引脚400密耳的TSOP -II
48球的6mm x 8毫米TFBGA
功能框图
VCC
VSS
A0-A15
解码器
64Kx16
内存
ARRAY
DQ0-DQ7
低字节
DQ8-DQ15
高字节
CE＃
WE＃
OE ＃
磅＃
UB ＃
I / O数据
curcuit
列I / O
控制
电路
引脚说明
符号
A0 - A15
DQ0 DQ15
CE＃
WE＃
OE ＃
磅＃
UB ＃
VCC
VSS
描述
地址输入
数据输入/输出
芯片使能输入
写使能输入
输出使能输入
低字节控制
高字节控制
电源
地
1
DCC-SR-041002-A
