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512Kx8 LP SRAM EM6112K800V系列
概述
该EM6112K800V是组织为4,194,304位低功耗CMOS静态随机存取存储器
524,288字由8位。它是用非常高的性能，高可靠性的CMOS技术制成的。
其待机电流的工作温度范围内稳定。
该EM6112K800V是精心设计的低功耗应用，特别适合好电池
备份非易失性存储器应用。
该EM6112K800V工作于2.7V 3.6V单电源供电，所有输入和输出
完全兼容TTL
特点
快速存取时间：45 /55 / 70ns的
低功耗：
工作电流：
三十分之四十〇 / 20毫安（ TYP 。 ）
待机电流： -L / -LL版本
20 / 2μA （ TYP 。 ）
单2.7V 3.6V电源
所有输入和输出TTL兼容
全静态操作
三态输出
数据保持电压： 1.5V （分钟）
包装：
32引脚450密耳SOP
32引脚采用8mm x 20毫米TSOP -I
32引脚采用8mm x 13.4毫米STSOP
36球的6mm x 8毫米TFBGA
功能框图
VCC
VSS
A0-A18
解码器
512Kx8
内存
ARRAY
DQ0-DQ7
I / O数据
curcuit
列I / O
CE＃
WE＃
OE ＃
控制
电路
引脚说明
符号
A0 - A18
DQ0 - DQ7
CE＃
WE＃
OE ＃
VCC
VSS
描述
地址输入
数据输入/输出
使能输入
写使能输入
输出使能输入
电源
地
1
DCC-SR-041005-A
