电气特性

特征

集电极 - 基极击穿电压

集电极 - 发射极击穿电压

发射极 - 基极击穿电压

收藏家Cuto FF电流

发射Cuto FF电流

@ T

A

= 25 ° C除非另有说明

符号

BV

CBO

BV

首席执行官

BV

EBO

I

CBO

民

50

50

5

300

140

65

30

30

56

68

82

-30

典型值

250

最大

0.5

580

260

130

58

0.3

+30

单位

V

V

V

mA

mA

V

%

兆赫

I

C

= 50毫安

I

C

= 1毫安

I

E

= 720毫安， DDTC114GE

I

E

= 330毫安， DDTC124GE

I

E

= 160毫安， DDTC144GE

I

E

= 72毫安， DDTC115GE

V

CB

= 50V

V

EB

= 4V

I

C

= 10毫安，我

B

- 0.5毫安

I

C

= 5毫安，V

CE

= 5V

V

CE

= 10V ，我

E

= -5mA ，

F = 100MHz的

测试条件

DDTC114GE

DDTC124GE

DDTC144GE

DDTC115GE

DDTC114GE

DDTC124GE

DDTC144GE

DDTC115GE

I

EBO

V

CE （ SAT ）

h

FE

DR

2

f

T

集电极 - 发射极饱和电压

直流电流传输比

泄放电阻（R

2

）公差

增益带宽积*

*晶体管 - 仅供参考

订购信息

设备

DDTC1xxGE-7-F

DDTC1xxGE-13-F

注意事项：

（注3）

包装

SOT-523

SOT-523

航运

3000 /磁带&卷轴

万/磁带&卷轴

3.包装详细信息，请访问我们的网站http://www.diodes.com/datasheets/ap02007.pdf 。

标识信息

XXXYM

XXX =产品型号标识代码（见第1页，如N26 = DDTC114GE ）

YM =日期代码标

Y =年（例如： N = 2002）

M =月（例如： 9 =九月）

日期代码的关键

YEAR

CODE

MONTH

CODE

JAN

1

2002

N

FEB

2

2003

P

三月

3

APR

4

2004

R

五月

5

2005

S

JUN

6

2006

T

JUL

7

八月

8

2007

U

SEP

9

2008

V

十月

O

NOV

N

2009

W

DEC

D

DS30316启示录7 - 2

2 4

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DDTC （ R2 -ONLY系列）电子