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CY8C29x66汽车数据表
3.电气规格
3.3
3.3.1
DC电气特性
DC芯片级规范
下表列出了许可的最大和最小规格的电压和温度范围： 4.75V到5.25V
和-40°C
≤
T
A
≤
125°C 。典型参数适用于5V在25℃ ，并仅作为设计参考。
表3-4 ： DC芯片级规范
符号
VDD
I
DD
电源电压
电源电流
描述
–
民
4.75
–
8
典型值
15
最大
5.25
V
mA
条件是VDD = 5.25V ， -40
o
C
≤
T
A
≤
125
o
C,
CPU = 3 MHz的系统时钟倍频器禁用。
VC1 = 1.5 MHz时， VC2 = 93.75 kHz时， VC3 = 0.366
千赫。模拟电源=关闭。
条件与内部低速振荡器
器， VDD = 5.25V ， -40
o
C
≤
T
A
≤
55
o
C.模拟
功率=关闭。
条件与内部低速振荡器
器， VDD = 5.25V ， 55
o
<牛逼
A
≤
125
o
C.模拟
功率=关闭。
条件为，在正确加载后， 1
W（最大值） ，
32.768 kHz晶振。 VDD = 5.25V ， -40
o
C
≤
T
A
≤
55
o
C.模拟电源=关闭。
–
8
100
A
单位
笔记
I
SB
休眠（模式）电流，在POR ， LVD ，休眠定时器， WDT ，
和内部低频振荡器活跃。较低的温度3/4
范围内。
休眠（模式）电流，在POR ， LVD ，休眠定时器， WDT ，
和内部低频振荡器活跃。较高的温度1/4
范围（热） 。
休眠（模式）电流，在POR ， LVD ，休眠定时器， WDT ，
内部低频振荡器，以及32 kHz晶振活跃。
3/4较低的温度范围内。
休眠（模式）电流，在POR ， LVD ，休眠定时器， WDT ，
和32 kHz晶振活跃。较高的温度1/4
范围（热） 。
参考电压（带隙）
–
6
16
A
I
SBH
–
6
100
A
I
SBXTL
–
8
18
A
I
SBXTLH
条件为，在正确加载后， 1
W（最大值） ，
32.768 kHz晶振。 VDD = 5.25V ， 55
o
<牛逼
A
≤
125
o
C.模拟电源=关闭。
V
REF
1.25
1.3
1.35
V
3.3.2
DC通用IO规范
下表列出了许可的最大和最小规格的电压和温度范围： 4.75V到5.25V
和-40°C
≤
T
A
≤
125°C 。典型参数适用于5V在25℃ ，并仅作为设计参考。
表3-5 ：直流GPIO规范
符号
R
PU
R
PD
V
OH
上拉电阻
下拉电阻
高输出电平
描述
4
4
3.5
民
典型值
5.6
5.6
–
8
8
–
最大
单位
k
k
V
IOH = 10 mA时， VDD = 4.75 5.25V （总共8个负载，
4在偶数端口引脚（例如，P0 [2]中，P1 [4]） ，
4对奇数端口引脚（例如，P0 [3]中，P1 [5] ））。
IOL = 25 mA时， VDD = 4.75 5.25V （总共8个负载，
4在偶数端口引脚（例如，P0 [2]中，P1 [4]） ，
4对奇数端口引脚（例如，P0 [3]中，P1 [5] ））。
VDD = 4.75至5.25 。
VDD = 4.75至5.25 。
格罗斯测试1
A.
取决于封装和引脚。温度= 25
o
C.
取决于封装和引脚。温度= 25
o
C.
笔记
V
OL
低输出电平
–
–
0.75
V
V
IL
V
IH
V
H
I
IL
C
IN
C
OUT
输入低电平
输入高电平
输入滞回
输入漏电流（绝对值）
对引脚作为输入容性负载
对引脚作为输出容性负载
–
2.2
–
–
–
–
–
–
110
1
3.5
3.5
0.8
–
–
10
10
V
V
mV
nA
pF
pF
2006年12月11日
文件编号38-12026牧师* D
15
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