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CY8C24x23最终数据手册
3.电气规格
3.3
3.3.1
DC电气特性
DC芯片级规范
下表列出了许可的最大和最小规格的电压和温度范围： 4.75V到5.25V
和-40°C
≤
T
A
≤
85°C ，或3.0V至3.6V和-40°C
≤
T
A
≤
85°C ，分别。典型参数适用于5V和3.3V ，25° C和
仅供或除非另有说明设计指导。
表3-4 。 DC芯片级规范
符号
VDD
I
DD
电源电压
电源电流
描述
–
民
3.00
–
5
典型值
8
最大
5.25
V
单位
mA
笔记
条件是VDD = 5.0V ， 25
o
C， CPU = 3
兆赫， 48兆赫禁用。 VC1 = 1.5 MHz时， VC2 =
93.75千赫， VC3 = 93.75千赫。
条件是VDD = 3.3V ，T
A
= 25
o
C， CPU = 3
兆赫， 48兆赫=禁用， VC1 = 1.5 MHz时， VC2
= 93.75 kHz时， VC3 = 93.75千赫。
条件与内部低速振荡器
器， VDD = 3.3V ， -40
o
< = T
A
< = 55
o
C.
条件与内部低速振荡器
器， VDD = 3.3V ， 55
o
<牛逼
A
< = 85
o
C.
条件为，在正确加载后， 1
W（最大值） ，
32.768 kHz晶振。 VDD = 3.3V ， -40
o
< = T
A
＆ LT ;?
55
o
C.
条件为，在正确加载后， 1
W（最大值） ，
32.768 kHz晶振。 VDD = 3.3 V ， 55
o
<牛逼
A
＆ LT ;?
85
o
C.
修剪合适的VDD。
I
DD3
电源电流
–
3.3
6.0
mA
I
SB
I
SBH
I
SBXTL
休眠（模式）电流，在POR ， LVD ，睡眠定时器，并
WDT 。
a
休眠（模式）电流，在POR ， LVD ，睡眠定时器，并
WDT在高温下。
a
休眠（模式）电流，在POR ， LVD ，休眠定时器， WDT ，
和外部晶振。
a
休眠（模式）电流，在POR ， LVD ，休眠定时器， WDT ，
和外部晶体在高温下。
a
参考电压（带隙）
–
–
–
3
4
4
6.5
25
7.5
A
A
A
I
SBXTLH
–
5
26
A
V
REF
1.275
1.3
1.325
V
一。待机电流包括需要可靠的系统运行的所有功能（ POR ， LVD ， WDT ，休眠时间） 。这应该与具有类似功能的装置进行比较
启用。
3.3.2
DC通用IO规范
下表列出了许可的最大和最小规格的电压和温度范围： 4.75V到5.25V
和-40°C
≤
T
A
≤
85°C ，或3.0V至3.6V和-40°C
≤
T
A
≤
85°C ，分别。典型参数适用于5V和3.3V ，25° C和
仅供或除非另有说明设计指导。
表3-5 。直流GPIO规范
符号
R
PU
R
PD
V
OH
V
OL
V
IL
V
IH
V
H
I
IL
C
IN
C
OUT
上拉电阻
下拉电阻
高输出电平
低输出电平
输入低电平
输入高电平
输入滞回
输入漏电流（绝对值）
对引脚作为输入容性负载
对引脚作为输出容性负载
描述
4
4
民
典型值
5.6
5.6
–
–
–
–
60
1
3.5
3.5
–
–
10
10
8
8
–
最大
单位
k
k
V
V
V
V
mV
nA
pF
pF
笔记
VDD - 1.0
–
–
2.1
–
–
–
–
IOH = 10 mA时， VDD = 4.75 5.25V （ 80毫安MAX-
imum联合IOH预算）
IOL = 25 mA时， VDD = 4.75 5.25V （ 150毫安
最大组合IOL预算）
VDD = 3.0 5.25
VDD = 3.0 5.25
格罗斯测试1
A.
取决于封装和引脚。温度= 25
o
C.
取决于封装和引脚。温度= 25
o
C.
0.75
0.8
2004年6月4日
文件编号38-12011牧师* F
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