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CY8C24x23A最终数据手册
4.包装信息
4.3
电容上的晶体引脚
包
8 PDIP
8 SOIC
20 PDIP
20 SSOP
20 SOIC
28 PDIP
28 SSOP
28 SOIC
32 QFN
封装电容
2.8 pF的
2.0 pF的
3.0 pF的
2.6 pF的
2.5 pF的
3.5 pF的
2.8 pF的
2.7 pF的
2.0 pF的
表4-2 ：在晶振引脚的典型封装电容
4.4
回流焊峰值温度
以下是需要的最低回流焊峰值温度，以达到良好的可焊性。
表4-3 。回流焊峰值温度
包
8 PDIP
8 SOIC
20 PDIP
20 SSOP
20 SOIC
28 PDIP
28 SSOP
28 SOIC
32 QFN
最低峰值温度*
240
o
C
240
o
C
240
o
C
240
o
C
220
o
C
240
o
C
240
o
C
220
o
C
240
o
C
最大峰值温度
260
o
C
260
o
C
260
o
C
260
o
C
260
o
C
260
o
C
260
o
C
260
o
C
260
o
C
*可能需要更高的温度基础上，焊料的熔点。典型的温度焊锡为220 ± 5
o
C
与锡铅或245 ± 5
o
下用锡 - 银 - 铜膏。参考焊料制造商的规格。
2006年10月17日
文件编号38-12028牧师* F
50
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