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CY8C21323汽车初步数据表
3.电气规格
3.1
符号
T
英镑
绝对最大额定值
描述
储存温度
民
-55
典型值
+25
最大
+125
o
表3-2 。绝对最大额定值
单位
C
笔记
较高的贮存温度将降低数据
保留时间。推荐的贮存温度
ATURE是+25
°
C +/- 25
°
C.储存温度
65岁以上
o
会降低可靠性。最大
结合存储和操作时间
+125
°
C是7000小时。
T
A
VDD
V
IO
V
IOZ
I
MIO
ESD
LU
环境温度与功耗的应用
电源电压Vdd引脚上相对于Vss
直流输入电压
直流电压适用于三态
最大电流到任何端口引脚
静电放电电压
闩锁电流
-40
-0.5
VSS - 0.5
VSS - 0.5
-25
2000
–
–
–
–
–
–
–
–
+125
+6.0
o
C
V
VDD + 0.5 V
VDD + 0.5 V
+25
–
200
mA
V
mA
人体模型ESD 。
3.2
符号
T
A
T
J
工作温度
描述
环境温度
结温
民
-40
-40
–
–
典型值
最大
+125
+135
o
o
表3-3 。工作温度
单位
C
C
的温度上升，从环境温度到结
包特有的。看
“热阻抗
每包“第22页。
用户必须限制
的功率消耗，以符合本
要求。
笔记
3.3
3.3.1
DC电气特性
DC芯片级规范
下表列出了许可的最大和最小规格的电压和温度范围： 4.75V到5.25V
和-40
°
C
≤
T
A
≤
125
°
C.典型参数适用于5V 25
°
C和仅作为设计指导。
表3-4 。 DC芯片级规范
符号
VDD
I
DD
电源电压
电源电流， IMO = 24 MHz的
描述
民
4.75
–
–
3
典型值
最大
5.25
4
V
mA
单位
笔记
见直流POR和LVD规范，
表3-7
第15页。
条件是VDD = 5.0V ， 25
o
C， CPU = 3兆赫，
系统时钟倍频器禁用。 VC1 = 1.5 MHz时， VC2
= 93.75 kHz时， VC3 = 0.366千赫。
VDD = 5.25V ， -40
o
C
≤
T
A
≤
55
o
C.
VDD = 5.25V ， 55
o
C
≤
T
A
≤
125
o
C.
修剪合适的VDD。 VDD = 4.75V至
5.25V.
I
SB
I
SBH
V
REF
AGND
休眠（模式）电流，在POR ， LVD ，休眠定时器， WDT ，
和内部低频振荡器活跃。
休眠（模式）电流，在POR ， LVD ，休眠定时器， WDT ，
和内部低频振荡器活跃。
参考电压（带隙）
模拟地
–
–
1.28
V
REF
- 0.003
5
5
1.30
V
REF
12
100
1.32
V
REF
+ 0.003
A
A
V
V
2006年1月16日
文件编号001-06161修订版**
13
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