RT9178
为了保证正确的操作中，信号源用于
驱动EN引脚必须能够上方和下方摆动
中列出的指定的导通/截止电压阈值
ⅵELECTRICAL
在V特性“
IH
和V
IL
.The ON /
关信号的可能来源于任一CMOS输出，或
集电极开路输出，上拉电阻的器件
输入电压或另一个逻辑电源。的高电平电压
可能超过器件的输入电压，但必须保持
在为EN引脚的绝对最大额定值。
快速启动时间
的启动时间是由时间常数确定
的旁路电容器。较小的电容值，则
短的开机时间，但低噪音得到降低。
其结果，启动时间和降噪需
在选择的价值考虑的设计考虑
的旁路电容器。
输入输出（降）电压
监管机构的最小输入至输出电压差
（压差）确定的最低可用电源
电压。在电池供电的系统，这就决定了
报废有用的电池电压。由于该设备的用途
一个PMOS管，其电压差漏 - 的功能
源的导通电阻，R
DS （ ON）
乘以所述负载
当前位置：
V
降
= V
IN
- V
OUT
= R
DS （ ON）
×
I
OUT
电流限制
的RT9178监测和控制的PMOS '门
电压，限制输出电流400mA的电流（典型值） 。该
输出可以被短路至地为无限期
时间而不损坏部件。
短路保护
该装置被短路保护和在一个事件
峰过电流条件下，短路控制环路
将迅速驱动输出PMOS通元件关闭。一旦
功率传递元件关闭时，控制环路将
快速循环打开和关闭，直到平均功率输出
耗散引起的热关断电路
响应伺服开/关循环到较低的频率。
请参考上一节的热动力信息
功耗计算。
电容特性
需要注意的是电容容差是非常重要的，并
随温度的变化必须考虑到
选择这样一个电容器时考虑
设置在最小电容的量
在整个工作温度范围内。在一般情况下，一个好
钽电容会显示非常小的电容
随温度的变化，但在陶瓷可能不会像
好（取决于介质类型）。
铝电解也通常有较大的温度
变化的电容值。
考虑同样重要的是电容的ESR变化
随温度：这不是一个问题，用陶瓷作为
其ESR极低。然而，这是非常重要的
在钽和铝电解电容器。两
显示越来越多的ESR ，在寒冷的气温，但
增加的铝电解电容器是如此严重
它们可能不适用于某些应用中是可行的。
陶瓷：
对于电容在10μF至100μF的范围内的值，
陶瓷通常是较大的和较钽更昂贵
但给卓越的AC性能，绕过高
由于极低的ESR高频噪声（典型
不足为10mΩ ） 。然而，一些介质类型不
具有良好的电容特性的函数
电压和温度。
Z5U和Y5V介电陶瓷材料具有的电容量
随施加电压的严重下降。一个典型Z5U或Y5V
电容器可以失去其额定容量的60％以
一半的额定电压施加到其上。该Z5U和Y5V
也表现出了严重的温度效应，跌逾
在高和低限标称电容的50％
温度范围。
X7R和X5R电介质的陶瓷电容是强烈
建议如果陶瓷的使用，因为它们通常
在保持电容范围
±
标称20 ％
温度和电压的整个工作的收视率。的
当然，它们通常大且比Z5U更昂贵/
Y5U类型对于给定的电压和电容。
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2007年DS9178-15三月
