S29WSxxxN的MirrorBit 闪存系列
S29WS256N ， S29WS128N ， S29WS064N
256/128/64兆位（ 16/8/4的M× 16位） CMOS 1.8伏只
同步读/写，突发模式闪存
数据表
初步
概述
Spansion公司S29WS256 / 128 / 064N是的MirrorBit
TM
闪存产品制造上的110纳米工艺技术。这些突发
模式闪存器件能够同时执行读取和写入零延迟操作在两个独立的
银行使用单独的数据和地址引脚。他们工作在高达80 MHz和使用单个V
CC
的1.7-1.95伏的
使它们非常适合当今要求更高的密度，更好的性能，并降低了要求苛刻的无线应用
功耗。
特色鲜明
采用1.8 V单读/编程/擦除（ 1.70-1.95 V）
110纳米的MirrorBit 技术
零同步读/写操作
潜伏期
32个字的写缓冲器
十六银行架构包括16/8/4
兆位的WS256N / 128N / 064N ，分别
4个16千字部门在顶部和底部
存储阵列
254/126/62 64千字部门（ WS256N / 128N /
064N)
可编程的突发读取模式
- 线性32 ， 16或8个字线性读取或
而不回绕
- 连续顺序读模式
SecSi （安全硅）扇形区域组成
每128个字工厂及客户
20年的数据保存（典型值）
自行车耐力：每扇区10万次
（典型值）
RDY输出指示提供给系统数据
命令集兼容JEDEC标准
硬件（ WP ＃ ）保护的顶部和底部的
扇区
双引导扇区结构（顶部和底部）
提供套餐
- WS064N ： 80球FBGA （7毫米× 9毫米）
- WS256N / 128N ： 84球FBGA （8毫米× 11.6毫米）
低V
CC
写禁止
高级持续性和密码的方法
扇区保护
写操作状态位指示和程序
擦除操作完成
暂停和恢复的计划和命令
擦除操作
解锁绕道程序命令，以减少
编程时间
同步或异步程序操作，
独立的突发控制寄存器的设置
ACC输入引脚，以减少工厂编程时间
支持通用闪存接口（ CFI ）
工业级温度范围（与工厂联系）
性能特点
读取访问时间
速度选项（兆赫）
马克斯。同步。延迟， NS （T
IACC
)
马克斯。同步。突发访问， NS （T
BACC
)
马克斯。 Asynch 。访问时间， NS （T
加
)
最大CE＃访问时间， NS （T
CE
)
最大OE ＃访问时间， NS （T
OE
)
80
69
9
70
70
11.2
66
69
11.2
70
70
11.2
54
69
13.5
70
70
13.5
电流消耗（典型值）
连续的突发读取@ 66兆赫
同时操作（异步）
程序（异步）
擦除（异步）
待机模式（异步）
35毫安
50毫安
19毫安
19毫安
20 A
典型的程序&擦除时间
单字编程
有效的写缓冲器编程（V
CC
）每字
有效的写缓冲器编程（V
加
）每字
扇区擦除（ 16千字部门）
扇区擦除（ 64千字部门）
40 s
9.4 s
6 s
150毫秒
600毫秒
公开号
S29WSxxxN_00
调整
F
修订
0
发行日期
2004年10月29日
