D A T A
中文ê （E T）
（ A D VA 权证
I N FO R M的T I O N）
表7.36
写操作状态
状态
标准
模式
节目
暂停
模式
（注3）
嵌入式程序算法
嵌入式擦除算法
阅读中的程序暂停的扇区
读非计划内暂停
扇形
擦除，中止反应
读
抹去
暂停的扇区
非擦除暂停
扇形
DQ7
（注2 ）
DQ7#
0
无效
（不
允许）
数据
1
数据
DQ7#
DQ7#
DQ7#
DQ7#
DQ6
切换
切换
无效
（不
允许）
数据
无切换
数据
切换
切换
切换
切换
DQ5
（注1 ）
0
0
无效
（不
允许）
数据
0
数据
0
0
1
0
DQ3
不适用
1
无效
（不
允许）
数据
不适用
数据
不适用
不适用
不适用
不适用
DQ2
（注2 ）
无切换
切换
无效
（不
允许）
数据
切换
数据
不适用
不适用
不适用
不适用
DQ1
（注4 ）
0
不适用
无效
（不
允许）
数据
不适用
数据
不适用
0
0
1
抹去
暂停
模式
擦除挂起计划
写
卜FF器
（注5 ）
繁忙状态
超过时间限制
中止状态
注意事项：
1. DQ5切换到“ 1 ”时，嵌入式程序或嵌入式擦除操作已超过最大时间限制。参阅
关于DQ5节以获取更多信息。
2. DQ7和DQ2需要一个有效的地址读取状态信息时。请参阅相应的小节进一步的细节。
3.数据是在程序暂停的扇区地址无效。
4. DQ1指示写在写缓冲区编程操作，以缓冲异常状态。
5.杠数据轮询算法应当用于写缓冲器编程操作。注意在写缓冲区的DQ7 ＃
编程指示数据栏DQ7数据
对于最后加载写缓冲区地址的位置。
7.8
同时读/编程或擦除
同时读取/编程或擦除功能允许主机系统，从一个银行的数据读取
存储器正在编程或擦除的记忆另一家银行。在擦除操作也可悬挂
读取或设置另一个位置的同一银行内（除行业被删除） 。
图11.25
第76页
展示了如何读取和写入周期可进行同步操作开始与零延迟。
请参阅
DC特性
第61页
为读而程序和读，而擦除电流规格。
7.9
写命令/命令序列
当该设备被配置为异步读，只允许异步写入操作，并
CLK被忽略。当在同步读模式配置中，设备能够执行两
异步和同步写操作。 CLK和AVD ＃诱发地址锁存器支持
同步编程模式。在同步写操作，写命令或
命令序列（包括编程数据到设备和存储器擦除扇区），则
系统必须驱动AVD ＃和CE ＃到V
IL
和OE ＃到V
IH
给设备提供一个地址时，与驱动
WE＃和CE ＃到V
IL
和OE ＃到V
IH
写命令或数据时。在异步写入
操作时，系统必须驱动CE＃和WE ＃到V
IL
和OE ＃到V
IH
提供地址时，命令
和数据。地址锁存WE＃或CE ＃最后下降沿，当数据被锁存1日上涨
WE＃或CE ＃边缘。擦除操作可以擦除一个扇区，多个扇区或整个设备。
表6.2第14页
和
表6.3第15页
表示每个扇区占用的地址空间。该
设备的地址空间被分成十六个银行：银行1至14仅包含64千字扇区，而
银行0和15 ，除了64千字部门同时包含16千字引导扇区。一
银行地址
是集
所需的唯一选择一个存储体地址比特。同样，一个
扇区地址
需的地址位
唯一选择一个部门。我
CC2
in
DC特性
第61页
代表的有功电流规范
写入模式。
交流特性，同步
和
交流特性，异步
包括计时
规格表和时序图用于写操作。
2006年11月8日S29WS ， P_00_A7
S29WS-P
45
