IC42S16101
间读命令间隔
新的命令可以被执行，而在读周期是在
进步，即该周期结束之前。当
第二读取命令被执行后，所述
CAS
潜伏期
已经过去时，对应于新的读取命令的数据
是代替数据的输出，由于是前面读
命令。
（两个读命令之间的间隔T
CCD
）必须在
至少一个时钟周期。
选定的存储之前，必须设置为激活状态
执行此命令。
CLK
命令
I / O
A0读
读B0
D
OUT
A0
t
CCD
D
OUT
B0
D
OUT
B1
D
OUT
B2
D
OUT
B3
READ （ CA = A， BANK 0 ）阅读（CA = B ， BANK 0 ）
CAS
延时= 2 ，突发长度= 4
间写命令的间隔
一个新的命令可以被执行，而写周期是
进步，即该周期结束之前。在点
第二写命令被执行时，数据对应
到新的写命令可以被输入来代替数据
上一个写命令。
（两个写命令之间的间隔T
CCD
）必须是
至少一个时钟周期。
选定的存储之前，必须设置为激活状态
执行此命令。
CLK
t
CCD
命令
I / O
A0写
写B0
D
IN
A0
D
IN
B0
D
IN
B1
D
IN
B2
D
IN
B3
WRITE （ CA = A， BANK 0 ） WRITE （CA = B ， BANK 0 ）
CAS
延时= 2 ，突发长度= 4
集成电路解决方案公司
DR025-0F 2005年1月17日
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