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HY5PS1G431C(L)FP
HY5PS1G831C(L)FP
HY5PS1G1631C(L)FP
4.差分数据选通
DDR2 SDRAM销定时为单端模式或差分模式根据指定的
在EMRS的设置“启用DQS ”模式位;定时的差模的优点，实现了在系统
设计。由其中的DDR2 SDRAM销定时测量的方法是模式依赖性。在单
VREF 。在差分模式下，这些定时关系的测量与DQS和的交叉点的
补充， DQS 。这种区别在计时方法是通过设计和特性保证。注意
当差分数据选通模式经由EMRS ，互补的销， DQS禁用，必须绑
外部到VSS通过一个20欧姆到10千欧姆的电阻，以确保正确的操作。
的DQ
t
DQSH
t
DQSL
DQS /
的DQ
的DQ
t
WPRE
V
IH
（AC）的
V
IH
（DC）的
D
V
IL
（AC）的
t
DS
t
DS
V
IH
（AC）的
DMIN
V
IL
（AC）的
t
DH
DMIN
D
D
V
IL
（DC）的
t
DH
DMIN
V
IL
（DC）的
V
IH
（DC）的
D
t
WPST
DQ
DM
DMIN
图 - 数据输入（写）定时
t
CH
CK
t
CL
CK / CK
CK
的DQ
DQS / DQS
的DQ
t
RPRE
t
RPST
Q
t
DQSQmax
t
QH
Q
Q
t
DQSQmax
t
QH
Q
DQ
图 - 数据输出（读）时序
5. AC时序是线性信号转换。请参阅系统降级为其他信号的转换。
6.这些参数保证设备的行为，但它们不必在每台设备上进行测试。他们
可以通过设备的设计或测试相关性得到保证。
7.所有电压参考VSS 。
8.试验AC时间，国际直拨电话，和电（交流和直流）的特点，可以在标称为参考进行
值/电压水平，但相关的规范和设备操作，保证了全
规定的电压范围。
修订版0.2 / 2006年12月
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