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HY5PS1G431C(L)FP
HY5PS1G831C(L)FP
HY5PS1G1631C(L)FP
为了IDD测试，下面的参数是要利用
DDR2-800
参数
CL （ IDD）
的tRCD （ IDD）
tRC的（ IDD）
tRRD(IDD)-x4/x8
tRRD(IDD)-x16
TCK （ IDD）
tRASmin （ IDD）
tRASmax （ IDD）
激进党（ IDD）
tRFC(IDD)-256Mb
tRFC(IDD)-512Mb
tRFC(IDD)-1Gb
tRFC(IDD)-2Gb
5-5-5
5
12.5
57.5
7.5
10
2.5
45
70000
12.5
75
105
127.5
197.5
6-6-6
6
15
60
7.5
10
2.5
45
70000
15
75
105
127.5
197.5
DDR2-
667
5-5-5
5
15
60
7.5
10
3
45
70000
15
75
105
127.5
197.5
DDR2-
533
4-4-4
4
15
60
7.5
10
3.75
45
70000
15
75
105
127.5
197.5
DDR2-
400
3-3-3
3
15
55
7.5
10
5
40
70000
15
75
105
127.5
197.5
单位
TCK
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
详细IDD7
详细的定时图所示为IDD7 。将需要改变，如果时序参数进行更改到
特定连接的阳离子。
注： A =有效; RA =读与Autoprecharge ; D =取消
IDD7 ：工作电流：所有银行交错读取操作
所有的银行都被交错最低的tRC （ IDD）在不违反TRRD （ IDD）使用4.控制的突发长度和
地址总线输入是在取消选择稳定。 IOUT = 0毫安
时序模式的4个银行设备X4 / X8 / X16
-DDR2-400 4/4/4 ： A0 RA0 RA1 A1 A2 A3 RA2 RA3 DDDDD
-DDR2-400 3/3/3 ： A0 RA0 RA1 A1 A2 A3 RA2 RA3 DDDD
-DDR2-533 5/4/4 ： A0 RA0 RA1 A1 A2 RA2 A3 RA3 DDDDD
-DDR2-533 4/4/4 ： A0 RA0 RA1 A1 A2 RA2 A3 RA3 DDDDD
时序模式为8银行设备X4 / 8
-DDR2-400所有垃圾桶： A0 RA0 RA1 A1 A2 A3 RA2 RA3 RA4 A4 A5 A6 RA5 RA6 A7 RA7
-DDR2-533所有垃圾桶： A0 RA0 RA1 A1 A2 A3 RA2 RA3 DD A4 RA4 RA5 A5 A6 A7 RA6 RA7 DD
8银行设备x16的时序模式
-DDR2-400所有垃圾桶： A0 RA0 RA1 A1 A2 A3 RA2 RA3 DD A4 RA4 RA5 A5 A6 A7 RA6 RA7 DD
-DDR2-533所有垃圾桶： A0 RA0 RA1 A1 A2 RA2 RA3 A3 A4 DDD RA4 A5 A6 RA6 A7 RA7 DDD
修订版0.2 / 2006年12月
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