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K4M28163LH - R（ B） N / G / L / F
简化的真值表
命令
注册
模式寄存器设置
自动刷新
H
条目
刷新
自
刷新
出口
L
H
H
L
L
H
H
银行主动&行地址。
阅读&
自动预充电禁用
列地址
自动预充电启动
写&
自动预充电禁用
列地址
自动预充电启动
突发停止
银行的选择
预充电
所有银行
H
时钟暂停或
主动关机
条目
出口
条目
预充电掉电
模式
出口
DQM
没有操作命令
L
H
H
H
X
L
H
H
H
H
L
V
X
X
X
X
X
V
V
V
H
L
H
L
L
H
L
L
H
H
X
H
X
H
X
X
X
H
V
X
X
V
X
X
V
X
X
X
X
X
X
X
X
H
X
L
L
H
L
X
X
X
X
L
L
X
L
H
X
H
L
X
H
H
X
X
V
V
H
H
H
X
CKEN - 1 CKEN
H
X
H
L
L
L
H
X
CS
L
RAS
L
CAS
L
WE
L
移动SDRAM
A11,
A9 ~ A0
DQM BA0,1 A10 / AP
X
记
1, 2
3
操作码
X
3
3
X
3
行地址
L
H
L
COLUMN
地址
(A0~A8)
COLUMN
地址
(A0~A8)
X
V
L
X
H
4
4, 5
4
4, 5
6
H
H
X
X
L
L
H
H
L
H
L
L
X
X
V
H
X
X
X
X
7
（V =有效，X =无关，H =逻辑高电平， L =逻辑低）
注意事项：
1. OP代码：操作数代码
A0 A11 & BA0 BA1 ：程序键。 （ @MRS ）
只能在所有银行预充电状态下发出2.黄。
一个新的命令后2 CLK周期MRS的发行。
3.自动刷新的功能是相同的DRAM的CBR刷新。
无行预充电命令预充电自然而然被"Auto"意思。
只能在所有银行预充电状态下发出的自动/自刷新。
局部自刷新只能设定EMRS的局部自刷新模式后发出。
4. BA0 BA1 ：银行选择地址。
5.在突发读取或者自动预充电，无法发出新的读/写命令写。
另一家银行的读/写命令脉冲结束后发出。
新行活动的相关银行可以在激进党爆结束后发放。
6.突发停止命令是在每一个突发长度有效。
7. DQM采样CLK的掩模的数据项以相同的CLK在写操作的正边沿（写入DQM延迟
是0 ），但在读操作时，它使数据输出Hi-Z状态后2 CLK的周期。 （读DQM潜伏期为2 ） 。
9
2006年1月
