K4M51163PC - R（ B） E / G / C / F
8M X 16Bit的×4银行移动SDRAM的54FBGA
特点
1.8V电源。
LVCMOS与复用地址兼容。
四家银行的操作。
MRS循环地址重点项目。
- 。 CAS延迟（1,2 & 3）。
- 。突发长度（1， 2，4， 8 &全页）。
- 。突发类型（顺序&交错） 。
EMRS周期地址重点项目。
所有的输入进行采样，该系统的正向边沿
时钟。
突发读取单个位的写操作。
特殊功能的支持。
- 。 PASR （部分阵列自刷新） 。
- 。内部TCSR （温度补偿自刷新）
- 。 DS （驱动力）
- 。 DPD （深度掉电模式）
DQM用于屏蔽。
自动刷新。
64ms的刷新周期（ 8K循环） 。
商业操作温度（ -25 ° C 70 ° C） 。
扩展温度操作（ -25 ° C 85°C ） 。
54Balls FBGA （ -RXXX ：铅， -BXXX ：无铅） 。
移动SDRAM
概述
该K4M51163PC是536870912位同步高速数据
率动态RAM组织为4× 8,388,608字×16位，
制造与三星的高性能CMOS技
术。同步设计允许与精确的周期控制
使用系统时钟和I / O的交易可能在每个
时钟周期。工作频率范围，可编程
脉冲串的长度和可编程延迟允许相同
装置可用于各种高带宽和高性有用
formance存储器系统的应用程序。
订购信息
产品型号
K4M51163PC-R(B)E/G/C/F75
K4M51163PC-R(B)E/G/C/F90
K4M51163PC-R(B)E/G/C/F1L
最大频率。
为133MHz （CL = 3） ， 83MHz的（CL = 2）
111MHz （CL = 3） ， 83MHz的（CL = 2）的
111MHz(CL=3)*
1
， 66MHz的（CL = 2）
LVCMOS
54 FBGA铅
（无铅）
接口
包
- R（ B） E / G：普通/低功耗，宽温（ -25 ° C 85°C ）
- R（ B） C / F ：普通/低功耗，商用温度（ -25 ° C 70 ° C）
注意事项：
1.对于40MHz的频率， CL1可以得到支持。
地址配置
组织
32M ×16
银行
BA0 ， BA1
ROW
A0 - A12
列地址
A0 - A9
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愿景可以申请。
2006年2月
