位置：首页 > IC型号导航 > 首字符K型号页 > 首字符K的型号第47页 > K6T1008V2C-YF70 > K6T1008V2C-YF70 PDF资料 > K6T1008V2C-YF70 PDF资料2第2页
K6T1008V2C ， K6T1008U2C家庭
128K ×8位低功耗和低电压CMOS静态RAM
特点
工艺技术： 0.4μm的CMOS
组织： 128K X8
电源电压：
K6T1008V2C系列： 3.0 3.6V
K6T1008U2C系列： 2.7 3.3V
低数据保持电压： 2V （最小值）
三态输出与TTL兼容
封装类型： 32 - SOP- 525 ， 32 TSOP1-0820F / R ，
32-TSOP1-0813.4F/R
CMOS SRAM
概述
该K6T1008V2C和K6T1008U2C家庭被制作
三星先进的CMOS工艺技术。该fami-
在于支持各种操作的温度范围和有
系统设计的灵活性，用户的各种封装类型。该
家人也支持低数据保持电压的电池
备份操作具有低的数据保持电流。
产品系列
功耗
产品系列
K6T1008V2C-B
K6T1008U2C-B
K6T1008V2C-D
K6T1008U2C-D
K6T1008V2C-F
K6T1008U2C-F
Industrial(-40~85°C)
Extended(-25~85°C)
工作温度
VCC范围
3.0~3.6V
2.7~3.3V
3.0~3.6V
2.7~3.3V
3.0~3.6V
2.7~3.3V
速度
70/100ns
85/100ns
70/100ns
85/100ns
70/100ns
85/100ns
10A
35mA
32-SOP
32-TSOP1-F/R
32-sTSOP1-F/R
待机
(I
SB1
，最大值）
操作
(I
CC2
，最大值）
PKG型
Commercial(0~70°C)
引脚说明
A11
A9
A8
A13
WE
VCC CS2
A15
A15 VCC
CS2 NC
A16
WE A14
A12
A13 A7
A6
A8
A5
A9
A4
A11
OE
A4
A10 A5
A6
CS1 A7
I / O8 A12
A14
I / O7 A16
NC
I/O6
VCC
I / O5 A15
CS2
I / O4我们
A13
A8
A9
A11
16
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
I/O4
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
CS1
A10
OE
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
OE
A10
CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
A3
功能框图
CLK GEN 。
预充电电路。
N.C
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
A4
A5
A6
A7
A8
A12
A13
A14
A15
A16
32-TSOP
32-
S
TSOP
Type1-Forward
V
CC
V
SS
存储阵列
1024行
128 × 8列
ROW
SELECT
32-SOP
25
24
23
22
21
20
19
18
17
I / O
1
I / O
8
32-TSOP
32-
S
TSOP
Type1-Reverse
数据
CONT
I / O电路
列选择
A10 A0
A1
A2 A3 A9
A11
名字
CS
1
， CS
2
OE
WE
A
0
~A
16
I / O
1
-I / O
8
VCC
VSS
N.C
功能
片选输入
输出使能输入
写使能输入
地址输入
数据输入/输出
动力
地
无连接
CS1
CS2
WE
OE
控制
逻辑
三星电子有限公司
保留更改产品规格，恕不另行通知。
2.0版
1997年11月
2
