1.2
1.0
0.8
AS的AlInGaP
0.6
铝镓砷
0.4
GAP
0.2
0
1.2
1.0
0.8
HSMQ ，
HSMR的InGaN
0.6
0.4
0.2
0
HSMM ，
HSMN的InGaN
发光强度
（归一20毫安）
0
5
10
15
20
25
发光强度
（归一20毫安）
0
5
10
15
20
25
I
F
- 正向电流 - 毫安
I
F
- 正向电流 - 毫安
图3.发光强度与正向电流。
I
F最大。
- 最大正向电流 - 毫安
30
25
20
GAP
15
10
5
0
I
F最大。
- 最大正向电流 - 毫安
25
HSMQ ，
HSMR的InGaN
20
的AlInGaP
铝镓砷
15
HSMM ，
HSMN的InGaN
10
5
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90
T
A
- 环境温度 - °C
0
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90
T
A
- 环境温度 - °C
图4.最大正向电流与环境温度。
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