K9F5608Q0C
K9F5608D0C
K9F5608U0C
K9F5616Q0C
K9F5616D0C
K9F5616U0C
FL灰内存
DC和工作特性
（推荐工作条件另有说明。 ）
K9F56XXX0C
参数
符号
测试条件
民
操作顺序读
当前
节目
抹去
待机电流（ TTL ）
待机电流（ CMOS ）
输入漏电流
输出漏电流
I
CC
1
I
CC
2
I
CC
3
I
SB
1
I
SB
2
I
LI
I
LO
的tRC = 50ns的， CE = V
IL
I
OUT
=0mA
-
-
CE = V
IH
， WP = 0V / V
CC
CE = V
CC
-0.2 ， WP = 0V / V
CC
V
IN
= 0到Vcc （最大）
V
OUT
= 0到Vcc （最大）
I / O引脚
输入高电压
V
IH *
除了I / O引脚
输入低电压，所有
输入
输出高电压电平
V
IL *
-
K9F56XXQ0C ：我
OH
=-100A
V
OH
K9F56XXD0C ：我
OH
=-100A
K9F56XXU0C ：我
OH
=-400A
K9F56XXQ0C ：我
OL
=100uA
输出低电压电平
V
OL
K9F56XXD0C ：我
OL
=100A
K9F56XXU0C ：我
OL
=2.1mA
K9F56XXQ0C ： V
OL
=0.1V
输出低电流（ R / B）
I
OL
（ R / B） K9F56XXD0C ： V
OL
=0.1V
K9F56XXU0C ： V
OL
=0.4V
记
: V
IL
可以下冲至-0.4V和V
IH
可过冲至V
CC
+ 0.4V为20 ns以下的持续时间。
1.8V
典型值
8
8
8
-
10
-
-
-
-
-
最大
15
15
15
1
50
±10
±10
+0.3
V
CC
+0.3
0.4
民
-
-
-
-
-
-
-
-0.4
V
CC
-0.4
-0.3
V
CCQ
-0.4
2.65V
典型值
10
10
10
-
10
-
-
-
-
-
最大
20
20
20
1
50
±10
±10
V
CCQ
+0.3
V
CC
+0.3
0.5
3.3V
最小典型最大
-
-
-
-
-
-
-
2.0
2.0
-0.3
10
10
10
-
10
-
-
-
-
-
20
25
25
1
50
±10
±10
V
CCQ
+0.3
V
CC
+0.3
0.8
单位
-
-
-
-
-
-
-
VCC
Q
-0.4
V
CC
-0.4
-0.3
V
CCQ
-0.1
mA
A
V
CCQ
V
CCQ
V
-
-
-
-
2.4
-
-
-
-
0.1
-
-
0.4
-
-
0.4
3
4
-
3
4
-
8
10
-
mA
12
