KA2S0680B
电气特性（ SFET部分）
（ TA = 25 ° C除非另有说明）
参数
漏源击穿电压
符号
BV
DSS
条件
V
GS
= 0V时，我
D
=50A
V
DS
=最大，等级，
V
GS
=0V
V
DS
= 0.8Max 。 ，评级，
V
GS
= 0V ，T
C
=125°C
V
GS
= 10V ，我
D
=4.0A
V
DS
= 15V ，我
D
=4.0A
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f=1MHz
V
DD
=0.5BV
DSS
, I
D
=6.0A
（ MOSFET开关
时间的本质
独立
工作温度）
V
GS
= 10V ，我
D
=6.0A,
V
DS
=0.5BV
DSS
（ MOSFET
开关时间
基本上是独立的
工作温度）
分钟。
800
-
-
-
1.5
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
典型值。
-
-
-
1.6
2.5
1600
140
42
60
150
300
130
70
16
27
马克斯。
-
50
200
2.0
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
nC
nS
pF
单位
V
A
A
S
零栅极电压漏极电流
静态漏源导通电阻
（注）
正向跨导
（注）
输入电容
输出电容
反向传输电容
打开延迟时间
上升时间
关闭延迟时间
下降时间
总栅极电荷
（栅极 - 源+栅极 - 漏极）
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极（米勒）电荷
注意：
脉冲测试：脉冲宽度
≤
300μS ，占空比
≤
2%
1
S
= ---
-
R
I
DSS
R
DS （ ON）
政府飞行服务队
西塞
科斯
CRSS
t
D（上）
tr
t
D（关闭）
tf
Qg
QGS
QGD
3
