功率晶体管
2SB1470
PNP硅三重扩散平面型达林顿
单位：mm
进行功率放大
补充2SD2222
26.0
±0.5
(10.0) (6.0)
(2.0)
(4.0)
20.0
±0.5
φ
3.3
±0.2
5.0
±0.3
(3.0)
I
特点
最适用于120瓦高保真输出
高正向电流传输比H
FE
低集电极到发射极饱和电压V
CE （ SAT ）
(3.0)
(1.5)
2.0
±0.3
3.0
±0.3
1.0
±0.2
0.6
±0.2
5.45
±0.3
10.9
±0.5
(1.5)
2.7
±0.3
1
2
3
I
绝对最大额定值
T
C
=
25°C
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
峰值集电极电流
集电极电流
集电极电源
耗散
T
C
= 25°C
T
a
= 25°C
T
j
T
英镑
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
CP
I
C
P
C
等级
160
160
5
15
8
150
3.5
150
55
to
+150
°C
°C
单位
V
V
V
A
A
W
20.0
±0.5
(2.5)
浸焊
(1.5)
1 ：基本
2 ：收藏家
3 ：发射器
TOP- 3L包装
内部连接
C
B
结温
储存温度
E
I
电气特性
T
C
=
25°C
参数
收藏家Cuto FF电流
符号
I
CBO
I
首席执行官
发射Cuto FF电流
集电极到发射极电压
正向电流传输比
I
EBO
V
首席执行官
h
FE1
h
FE2 *
集电极到发射极饱和电压
基地发射极饱和电压
跃迁频率
开启时间
贮存时间
下降时间
注） *：等级分类
秩
h
FE2
Q
S
V
CE （ SAT ）
V
BE （ SAT ）
f
T
t
on
t
英镑
t
f
条件
V
CB
=
160
V，I
E
= 0
V
CE
=
160
V，I
B
= 0
V
EB
=
5
V，I
C
= 0
I
C
=
30
妈，我
B
= 0
V
CE
=
5
V，I
C
=
1
A
V
CE
=
5
V，I
C
=
7
A
I
C
=
7
A，I
B
=
7
mA
I
C
=
7
A，I
B
=
7
mA
V
CE
=
10
V，I
C
=
0.5 A ， F = 1兆赫
I
C
=
7
A，I
B1
=
7
妈，我
B2
= 7毫安，
V
CC
=
50
V
20
1
1.5
1.2
160
1 000
3 500
20 000
3
3
V
V
兆赫
s
s
s
民
典型值
最大
100
100
100
单位
A
A
A
V
3 500 10 000 7 000 20 000
(2.0)
1
