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产品文档
请参阅以下文件，以帮助您的设计过程。
应用笔记
AN1907 ：回流焊安装方法高功率RF器件塑料封装
AN1955 ：射频功率放大器热测量方法
AN3263 ：博尔特下的安装方法，高功率射频晶体管和射频集成电路在过去 - 模压塑料封装
工程通报
EB212 ：使用数据表阻抗射频LDMOS器件
修订历史
下表总结了修订本文件。
调整
0
1
日期
2007年2月
2007年2月
数据表的初始版本
补充图。 1 ，引脚连接， P 。 1
上市工作结温，表1 ，最大额定值，对去除脚注引用。 1
加到最大值为功率增益，表5 ，功能测试， P 。 2
2
3
2007年5月
2008年1月
表6中得到纠正测试电路组件的部件号，组件牌号和值C4 ，
C19 ，C5， C18 ，C9 ，C12， C14和C23页。 3
增加的工作频率为600兆赫， P 。 1
新增个案工作温度限制在最大额定值表，限量150 ° C，P 。 1
纠正
国际空间站
测试条件，表示AC刺激的V
GS
连接相对于V
DS
连接，
动态特性表中， P 。 2
更新PCB信息显示更具体的材料的细节图。 2 ，测试电路原理图， P 。 3
更换案例纲要1486年至1403年，发行C，与一四八六年至1403年，发行D，P 。 9 - 11，增加针数1 4
在表1 。
更换案例纲要1484至04年，问题D ，与1484至1404年，发行E，P 。 12 - 14.增加针数1
4表1 ，与引脚1和引脚2名称替换栅极和漏极符号。
描述
MRF6V2300NR1 MRF6V2300NBR1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
15
