产品文档
请参阅以下文件，以帮助您的设计过程。
应用笔记
AN1955 ：射频功率放大器热测量方法
AN1987 ：静态电流控制的射频集成电路器件系列
工程通报
EB212 ：使用数据表阻抗射频LDMOS器件
修订历史
下表总结了修订本文件。
调整
2
日期
2008年8月
描述
上市更换部件和设备迁移通知编号， P 。 1
从功能部分的功能去掉更低的热阻，低镀金子弹
是标准的，第1
从数据是冗余的最大额定值表中删除器件总功耗（信息已
在热特性表中提供） ， P 。 1
从200 ° C的工作结温上升到225 ℃，最大额定值表和相关
“在最高温度下连续使用会影响平均无故障时间”脚注添加页。 1
更正V
DS
到V
DD
在RF测试条件电压标注为V
GS （ Q）
，在特性表页。 2
除去正向跨导从上表的特性，因为它不再提供可用
信息，第2
更新PCB信息显示更具体的材料的细节图。 1 ，测试电路原理图， P 。 3
在表5中，组件标识和价值观，以最新的RoHS标准部分更新零件编号
数，p 。 3
调整后的规模图。 8 ，互调失真产品与音调间隔，以显示更宽
动态范围，第6
除去低电压测试从图12 ，功率增益与输出功率，由于固定夹具调整
局限性，第7
取代图。 13 ，平均无故障时间与结温与更新的图形。除去安培
2
上市
经营特色和MTTF计算器装置， P的位置。 7
加入产品文档和修订历史页。 11
MRF6S9160HR3 MRF6S9160HSR3
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
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