位置：首页 > IC型号导航 > 首字符M型号页 > 首字符M的型号第2730页 > MRF6S21140HR3 > MRF6S21140HR3 PDF资料 > MRF6S21140HR3 PDF资料2第1页
飞思卡尔半导体公司
技术参数
文档编号： MRF6S21140H
第4版，第5/2007号
射频功率场效应晶体管
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
专为W-CDMA基站应用从2110频率
到2170兆赫。适用于TDMA ， CDMA和多载波放大器的应用
T I O 4 N秒。要beusedin 姑娘AB的PCN - PCS / cellularradioand WLL
应用程序。
典型2 - 载波W - CDMA性能： V
DD
= 28伏，我
DQ
= 1200毫安，
P
OUT
= 30瓦平均，全频段，信道带宽= 3.84 MHz时，
PAR =上CCDF 8.5分贝@ 0.01 ％的概率。
功率增益 - 15.5分贝
漏极效率 - 27.5 ％
IM3 @ 10 MHz偏移 - - 37 dBc的在3.84 MHz信道带宽
ACPR @ 5 MHz偏移 - - 41 dBc的在3.84 MHz信道带宽
能够处理10 ： 1 VSWR ， @ 28伏直流， 2140兆赫， 140瓦CW
输出功率
特点
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
内部匹配的易用性
资格高达32 V ，最大
DD
手术
集成ESD保护
优化的Doherty应用
符合RoHS
在磁带和卷轴。 R3后缀=每56毫米， 13英寸卷轴250单位。
MRF6S21140HR3
MRF6S21140HSR3
2110年至2170年兆赫， 30瓦AVG ， 28 V 。
2 x宽 - CDMA
横向N - CHANNEL
RF功率MOSFET
CASE 465B - 03 ，风格1
NI - 880
MRF6S21140HR3
CASE 465℃ - 02 ，风格1
NI - 880
MRF6S21140HSR3
表1.最大额定值
等级
漏 - 源极电压
栅 - 源电压
存储温度范围
情况下的工作温度
工作结温
(1,2)
符号
V
DSS
V
GS
T
英镑
T
C
T
J
价值
- 0.5, +68
- 0.5, +12
- 65 + 150
150
225
单位
VDC
VDC
°C
°C
°C
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
外壳温度80 ° C， 140瓦特CW
外壳温度75 ° C， 30瓦CW
符号
R
θJC
价值
(2,3)
0.35
0.38
单位
° C / W
在最高温度1，连续使用会影响平均无故障时间。
2. MTTF计算器可在http://www.freescale.com/rf 。选择工具/软件/应用软件/计算器访问
平均无故障时间计算器副产品。
3.请参阅AN1955 / D，
射频功率放大器的热测量方法。
去http://www.freescale.com/rf 。选择
文档/应用笔记 - AN1955 。
飞思卡尔半导体公司2004-2007年。版权所有。
MRF6S21140HR3 MRF6S21140HSR3
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
