表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
MRF9060NR1
MRF9060NBR1
类
1 （最低）
M2 （最低）
C6 （最低）
C5 （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
MRF9060NR1
MRF9060NBR1
1
3
260
260
等级
封装峰值温度
单位
°C
表5.电气特性
(T
C
= 25 ° C除非另有说明）
特征
开关特性
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 65伏，V
GS
= 0伏）
零栅极电压漏极漏电流
(V
DS
= 26伏，V
GS
= 0伏）
栅源漏电流
(V
GS
= 5伏，V
DS
= 0伏）
基本特征
栅极阈值电压
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 200
μAdc ）
门静态电压
(V
DS
= 26伏直流，我
D
= 450 MADC ）
漏源开 - 电压
(V
GS
= 10 VDC ，我
D
= 1.3 ADC）
正向跨导
(V
DS
= 10 VDC ，我
D
= 4 ADC）
动态特性
输入电容
(V
DS
= 26伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
输出电容
(V
DS
= 26伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
反向传输电容
(V
DS
= 26伏直流
±
30毫伏（ RMS） AC @ 1 MHz时，V
GS
= 0伏）
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
—
—
—
101
53
2.5
—
—
—
pF
pF
pF
（续）
V
GS （ TH）
V
GS （ Q）
V
DS （ ON）
g
fs
2
3
—
—
2.8
3.7
0.21
5.3
4
5
0.4
—
VDC
VDC
VDC
S
I
DSS
I
DSS
I
GSS
—
—
—
—
—
—
10
1
1
μAdc
μAdc
μAdc
符号
民
典型值
最大
单位
MRF9060NR1 MRF9060NBR1
2
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
