飞思卡尔半导体公司
技术参数
通过MRF9030NR1 / NBR1取代。没有与这部分外形，装配或功能的改变
MRF9030M
牧师9 ， 5/2006
射频功率场效应晶体管
更换。 后缀添加到零件编号来表示的过渡引领 - 免费终端。
N - 沟道增强 - 模式横向的MOSFET
设计用于frequen-宽带商业和工业应用
连锁商店最高到1000 MHz 。高增益和它们的宽带性能
装置使它们非常适用于大信号，共源放大器应用
在26伏基站设备。
在945 MHz时， 26伏典型性能
输出功率= 30瓦PEP
功率增益 - 20分贝
效率 - 41 ％ （二声调）
IMD - - 31 dBc的
集成ESD保护
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电， 945兆赫， 30瓦CW
输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大 - 信号阻抗参数
双 - 铅Boltdown塑料包装，也可用于表面
坐骑。
200℃有能力塑料包装
TO - 272 - 2在磁带和卷轴。 R1每44毫米后缀= 500单位，
13英寸的卷轴。
TO - 270 - 2在磁带和卷轴。 R1每24毫米后缀= 500单位，
13英寸的卷轴。
MRF9030MR1
MRF9030MBR1
945兆赫， 30 W， 26 V
横向N - CHANNEL
宽带
RF功率MOSFET
档案信息
CASE 1265至1208年，风格1
TO - 270- 2
塑料
MRF9030MR1
CASE 1337至1303年，风格1
TO - 272- 2
塑料
MRF9030MBR1
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
- 0.5, +65
- 0.5, + 15
139
0.93
- 65 + 150
200
单位
VDC
VDC
W
W / ℃，
°C
°C
表1.最大额定值
等级
漏源电压
栅 - 源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
表2.热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
价值
1.08
单位
° C / W
表3. ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
MRF9030MR1
MRF9030MBR1
类
1 （最低）
M2 （最低）
C7 （最低）
C6 （最低）
表4.湿度敏感度等级
测试方法
每JESD 22 - A113 ， IPC / JEDEC J - STD - 020
等级
3
封装峰值温度
260
单位
°C
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
飞思卡尔半导体公司， 2006年。保留所有权利。
MRF9030MR1 MRF9030MBR1
1
RF设备数据
飞思卡尔半导体公司
档案信息
