摩托罗拉
半导体技术资料
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通过MRF9030M / D
射频亚微米MOSFET线
射频功率场效应晶体管
N沟道增强模式横向的MOSFET
设计用于frequen-宽带商业和工业应用
连锁商店高达1.0千兆赫。这些器件的高增益和宽带性能
使它们非常适用于大信号，共源放大器应用
26伏基站设备。
在945 MHz时， 26伏典型性能
输出功率= 30瓦PEP
功率增益 - 20分贝
效率 - 41 ％ （二声调）
IMD - -31 dBc的
集成ESD保护
能够处理5 ： 1 VSWR ， @ 26伏直流电， 945兆赫， 30瓦（ CW）
输出功率
优良的热稳定性
特点等效串联阻抗大信号阻抗参数
湿度敏感度等级3
双导Boltdown塑料包装，也可用于表面
坐骑。
TO- 272可在磁带和卷轴。 R1每44毫米后缀= 500单位，
13英寸的卷轴。
TO- 270可在磁带和卷轴。 R1每24毫米后缀= 500单位，
13英寸的卷轴。
MRF9030MR1
MRF9030MBR1
945兆赫， 30 W， 26 V
横向N沟道
宽带
RF功率MOSFET
案例1265年至1207年，风格1
(TO–270)
塑料
(MRF9030MR1)
CASE 1337至01年，风格1
（ TO- 272双导）
塑料
(MRF9030MBR1)
最大额定值
等级
漏源电压
栅源电压
器件总功耗@ T
C
= 25°C
减免上述25℃
存储温度范围
工作结温
符号
V
DSS
V
GS
P
D
T
英镑
T
J
价值
65
+15, –0.5
139
0.93
-65到+150
175
单位
VDC
VDC
瓦
W / ℃，
°C
°C
ESD保护特性
测试条件
人体模型
机器型号
充电器型号
MRF9030MR1
MRF9030MBR1
类
1 （最低）
M2 （最低）
C7 （最低）
C6 （最低）
热特性
特征
热阻，结到外壳
符号
R
θJC
最大
1.08
单位
° C / W
注 -
小心
- MOS器件容易受到由静电荷的损害。在处理合理的预防措施，并
包装MOS器件应观察。
REV 3
摩托罗拉RF
摩托罗拉公司，2002年
设备数据
MRF9030MR1 MRF9030MBR1
1
