STD1HNC60
N沟道600V - 4Ω - 2A - IPAK / DPAK
的PowerMESH II MOSFET
TYPE
STD1HNC60
s
s
s
s
s
V
DSS
600 V
R
DS （ ON）
<5
I
D
2A
典型
DS
（上） = 4
DV dt能力极高/
100％的雪崩测试
新的高压BENCHMARK
栅极电荷最小化
IPAK
TO-251
3
2
1
1
3
描述
的的PowerMESH
II是第一的演变
代MESH叠加
.
在重新布局
finements引入大大提高了罗恩*区
品质因数，同时保持设备的铅
荷兰国际集团边缘的东西涉及具有结构转换的速度，门
充电和耐用性。
应用
大电流，高开关速度
s
SWITH模式电源（ SMPS ）
s
DC -AC转换器，用于焊接
设备和不间断
电源和电机驱动器
s
DPAK
TO-252
内部原理图
绝对最大额定值
符号
V
DS
V
DGR
V
GS
I
D
I
D
I
糖尿病（1）
P
合计
dv / dt的
T
英镑
T
j
.
参数
漏源电压（V
GS
= 0)
漏，栅极电压（R
GS
= 20 k)
栅 - 源电压
漏电流（连续的）在T
C
= 25°C
漏电流（连续的）在T
C
= 100°C
漏电流（脉冲）
总功耗在T
C
= 25°C
降额因子
峰值二极管恢复电压斜率
储存温度
马克斯。工作结温
价值
600
600
±30
2
1.3
8
50
0.4
3.5
-65到150
150
(1)I
SD
≤
图2A中， di / dt的
≤100A/s,
V
DD
≤
V
（ BR ） DSS
, T
j
≤
T
JMAX
单位
V
V
V
A
A
A
W
W / ℃，
V / ns的
°C
°C
（ ）脉冲宽度有限的安全工作区
2001年2月
1/9
