MUN2111T1系列
首选设备
偏置电阻晶体管
PNP硅表面贴装晶体管
与单片偏置电阻网络
此新系列数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。该
偏置电阻晶体管（ BRT）包含了单个晶体管
单片偏置网络由两个电阻器;一系列的基础
电阻器和基极 - 发射极电阻。在BRT消除这些
各个组分通过将它们集成到单个设备中。该
使用BRT可降低系统成本和电路板空间。该装置
被容纳在所述SC- 59包被设计为低功耗
表面贴装应用。
特点
http://onsemi.com
3脚
集热器
（输出）
R1
销2
BASE
（输入）
R2
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
湿度敏感度等级： 1
ESD额定值 - 人体模型：第1类
- 机器型号：B类
在SC- 59封装可以焊接使用波或回流
在修改后的鸥翼引线吸收热应力
焊接消除损伤到芯片的可能性
无铅包可用
最大额定值
(T
A
= 25 ° C除非另有说明）
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
销1
辐射源
（接地）
3
2
1
SC59
CASE 318D
塑料
标记图
6X M
G
G
1
热特性
特征
器件总功耗
T
A
= 25°C
减免上述25℃
热阻，
结到环境
热阻，
结到铅
结温和存储温度
范围
符号
P
D
最大
230 （注1 ）
338 （注2）
1.8 （注1 ）
2.7 （注2）
540 （注1 ）
370 （注2）
264 （注1 ）
287 （注2）
-55到+150
单位
mW
° C / W
° C / W
° C / W
6x
=具体设备守则
M
=日期代码*
G
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
R
qJA
R
qJL
T
J
, T
英镑
订购信息
°C
查看详细的订购和发货信息第2页
此数据表。
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1， FR- 4 @最小焊盘。
2. FR- 4 @ 1.0× 1.0英寸垫。
器件标识信息
请参见本数据手册的第2页上的器件标识表。
首选
装置被推荐用于将来使用的选择
和最佳的整体价值。
半导体元件工业有限责任公司， 2006年
2006年9月 - 17牧师
1
出版订单号：
MUN2111T1/D
