MUN2111系列
偏置电阻晶体管
PNP硅
集热器
3
1
BASE
R1
R2
3
2
1
2
辐射源
SC-59
最大额定值
( T
A
= 25°C除非另有说明）
等级
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
集电极电流连续
符号
VCEO
VCBO
IC
价值
50
50
100
单位
VDC
VDC
MADC
热特性
特征
器件总功耗FR- 5局
(1)
（ 1 ） TA = 25℃
减免上述25℃
热阻，结到环境
(1)
结温和存储，使用温度范围
1.FR - 4 @最小焊盘
符号
PD
最大
230
1.8
单位
mW
毫瓦/ C
C / W
C
R
θ
JA
TJ ， TSTG
540
-55到+150
器件标识和电阻值
设备
MUN2111
MUN2112
MUN2113
MUN2114
MUN2115
MUN2116
MUN2130
记号
6A
6B
6C
6D
6E
6F
6G
R1(K)
10
22
47
10
10
4.7
1.0
R2(K)
10
22
47
47
8 8
设备
MUN2131
MUN2132
MUN2133
MUN2134
MUN2136
MUN2137
MUN2140
记号
6H
6J
6K
6L
6N
6P
6T
R1(K)
2.2
4.7
4.7
22
100
47
47
R2(K)
2.2
4.7
47
47
100
22
8
1.0
我们ITR 0：N
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