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CY14E256L
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> CY14E256L PDF资料1第11页
初步
开关波形
（续）
CY14E256L
t
WC
地址
CE
t
SA
t
AW
t
PWE
t
SCE
t
HA
WE
t
SD
DATA IN
数据有效
t
HD
数据输出
高阻抗
图9. SRAM写周期2： CE受控
文件编号： 001-06968修订版* C
第11页16
[+ ]反馈
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