初步
噪声考虑
该CY14B256K是一个高速存储器，所以必须有
约0.1μF高频旁路电容
连接V之间
CC
和V
SS
使用线索和痕迹
是尽可能地短。如同所有的高速CMOS集成电路，
仔细布线电源，接地，并且信号会降低电路
噪声。
小时运营
CY14B256K
较低的平均有功功率
CMOS技术提供CY14B256K允许
绘制较少的电流，当它被循环在时间超过50不再
NS 。
图2
显示我的关系
CC
和阅读
和/或写入周期时间。最坏情况下的电流消耗
所示为商业级温度范围，V
CC
= 3.45V ，和
芯片启动时的最大频率。只有待机电流
当芯片被禁用绘制。整体的平均电流
由CY14B256K绘制依赖于以下项目：
芯片1. 1The占空比实现。
2.整个周期率的访问。
3的读写比。
4.操作温度。
5. V
CC
的水平。
6. IO负载。
图2.电流与周期时间
时钟寄存器保持时间长达9,999年的1
第二个增量。用户可以将时间设定为任意的日历
时间和时钟自动保存的天轨
周，月，闰年，以及世纪过渡。那里
有八个寄存器专用于时钟的功能是
用于设置时间与写入周期，并在一个读取时间
读周期。这些寄存器包含日的BCD时间
格式。定义为0的位当前未使用且被
通过赛普拉斯保留。
读时钟
尽管双缓冲RTC寄存器结构降低了
从时钟读取不正确的数据的机会，你停止
内部更新到CY14B256K时钟寄存器之前
读取时钟数据以防止在过渡数据的读出。
停止内部寄存器更新不会影响时钟
准确度。更新过程是通过写1到停止
读位R（在国旗在0x7FF0注册） ，并且不会重新启动
直到把0写入到读出位。 RTC寄存器可以再
而内部时钟继续运行被读取。在20毫秒
之后将0写入到读出位，所有CY14B256K寄存器是
同时更新。
设置时钟
写位W （在国旗在0x7FF0寄存器）设置为1
停止更新到CY14B256K寄存器。正确的一天，
日期和时间可以被写入到寄存器中以24小时
BCD格式。写入的时间被称为基本时间。
该值被存储在非易失性寄存器，在使用
的当前时间计算。重新写入位为0
传送这些值与实际时钟的计数器，在这之后
时钟恢复正常运行。
备用电源
该RTC的CY14B256K用于永久供电
操作。无论是V
RTCcap
或V
RTCbat
引脚连接
这取决于电容器或电池是否被选择用于
应用程序。当主电源，V
CC
，失败，下面滴
V
开关
该设备将切换到备用电源。
时钟振荡器使用非常小的电流，从而最大限度地提高
备份时间可从备份源。无论
除去了主源，数据时钟的操作
存储的nvSRAM是安全的，已被存储在所述
非易失性元件作为动力丢失。
在备份操作中CY14B256K消耗
最大为300μA为2V 。电容器或电池值必须
根据应用来选择。备份时间值
基于最大电流的规格示于
表2中， RTC
备份时间。
标称的时间是大约3倍的时间。
表2. RTC备份时间
电容值
0.1F
0.47F
1.0F
备份时间
72小时
14天
30天
实时时钟运行
nvTIME操作
该CY14B256K由内部寄存器包含
时钟，闹钟，看门狗，中断和控制功能。
时钟和时钟/定时器的内部双缓冲
注册信息阻止访问内部转型
一个读或写操作过程中的时钟数据。双缓冲
也避开干扰正常的时间计数或时钟
内部时钟的准确性在访问时钟数据。
时钟和报警寄存器存储BCD格式的数据。
使用一个电容器具有充电备份的优点
源的每个系统上电时。如果电池是
使用一个3V锂，建议和CY14B256K会
文件编号： 001-06431修订版* E
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