初步
开关波形
控制地址：图5. SRAM读周期＃ 1
[10, 11, 25]
CY14B256K
t
RC
地址
t
AA
t
OH
DQ （ DATA OUT ）
数据有效
图6. SRAM读周期2： CE和OE控制
[10, 25]
t
RC
地址
CE
t
LZCE
t
ACE
t
PD
t
HZCE
OE
DQ （ DATA OUT ）
t
LZOE
t
PU
t
美国能源部
数据有效
t
HZOE
活跃
ICC
待机
注意：
25. HSB必须在读居高不下，写周期。
文件编号： 001-06431修订版* E
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