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初步
CY14B104L ， CY14B104N
4兆位（ 512K ×8 / 256K ×16 ）的nvSRAM
特点
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功能说明
赛普拉斯CY14B104L / CY14B104N是一个快速静态RAM ，具有
非易失性元件中的每个存储单元。内存
组织成8比特每512K字或16位的256K字
每一个。嵌入式非易失性元件结合
QuantumTrap技术，生产世界上最可靠的
非易失性存储器。该SRAM提供了无限的读写
周期，而独立的非易失性数据驻留在高度
可靠QuantumTrap细胞。从SRAM的数据传输
非易失性元件（实体店经营）发生
在自动关闭电源。上电时，数据恢复
从非易失性存储器SRAM中（该RECALL操作）。
无论是STORE和RECALL操作也可
在软件控制下。
15纳秒， 25纳秒，和45 ns访问时间
内部组织为512K ×8 （ CY14B104L ）或256K ×16
(CY14B104N)
关上掉电自动STORE手中只有一小
电容
商店到QuantumTrap
发起的非易失性元素
软件，器件引脚或自动存储
在掉电
召回SRAM通过软件或上电启动
无限的读，写和召回周期
8毫安典型I
CC
在200 ns的周期时间
200000 STORE周期来QuantumTrap
20年的数据保存
单3V + 20 ％ ， - 10％操作
商用和工业温度
FBGA和TSOP - II封装
符合RoHS标准
逻辑框图
V
CC
V
帽
地址
0
- A
18
CE
OE
WE
[1]
[1]
DQ0 - DQ7
CY14B104L
CY14B104N
HSB
BHE
BLE
V
SS
记
1.地址
0
- A
18
和数据DQ0 - DQ7为X8的配置，地址
0
- A
17
和数据DQ0 - DQ15为X16的配置。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-07102修订版* F
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2008年1月2日
[+ ]反馈
